[發(fā)明專利]具有大的霍爾效應(yīng)的氮化鐵薄膜的制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910229189.0
• 申請(qǐng)日: 2009-12-15
• 公開（公告）號(hào): CN101705474A
• 公開（公告）日: 2010-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 米文搏;白海力
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201
• 代理人: 王麗

1.一種具有大的異常霍爾效應(yīng)的氮化鐵薄膜的制備方法，其特征是步驟如下：

1)采用中科院沈陽科學(xué)儀器研制中心生產(chǎn)的KPS450型可調(diào)三靶超高真空磁控濺射鍍膜機(jī)，在強(qiáng)磁性靶頭上安裝一個(gè)純度為99.99％的Fe靶；靶材的厚度為2.3mm，直徑為60mm；靶與基片之間的距離為10cm；

2)將基底材料表面雜質(zhì)清除后，將基底安裝在基片架上，靶與基片之間的距離為10cm，基片架在上方，靶在下方；

3)開啟磁控濺射設(shè)備，先后啟動(dòng)一級(jí)機(jī)械泵和二級(jí)分子泵抽真空，直至濺射室的背底真空度為8×10^-6Pa；

4)向真空室以100sccm的速率通入純度為99.999％的Ar和以15sccm的速率通入純度為99.999％的N₂的混合氣體，將真空度保持在1Pa；

5)開啟濺射電源，在Fe靶上施加0.3A的電流和300V的直流電壓，預(yù)濺射10分鐘，等濺射電流和電壓穩(wěn)定；

6)打開基片架上的檔板開始濺射，基片位置固定；濺射過程中，基底不加熱；

7)濺射結(jié)束后，關(guān)閉基片架上的檔板，然后關(guān)閉濺射電源，停止通入濺射氣體Ar和N₂，完全打開閘板閥，繼續(xù)抽真空，然后關(guān)閉真空系統(tǒng)；待系統(tǒng)冷卻后，向真空室充入純度為99.999％的氮?dú)猓蜷_真空室，取出樣品；

8)測量氮化鐵薄膜的霍耳電阻率隨外加磁場的變化關(guān)系，異常霍爾效應(yīng)的氮化鐵薄膜樣品的最大飽和異常霍耳電阻率在溫度為3K時(shí)為61μΩcm。