[發明專利]一種硫化鎳納米線陣列的制備方法

無效

• 申請號: 200910227364.2
• 申請日: 2009-12-08
• 公開（公告）號: CN101736377A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 程亮;田永濤;趙曉峰;賈天世;徐玉睿;王文闖;李新建
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: C25D7/12
• 分類號: C25D7/12
• 代理公司: 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104
• 代理人: 劉建芳

1.一種硫化鎳納米線陣列的制備方法，其特征在于：首先以多孔氧化鋁為模板，在其上電化學沉積硫化鋅納米線陣列，之后將含有硫化鋅納米線陣列的多孔氧化鋁模板置于由硫酸鎳鹽和硼酸加水配制的電沉積溶液中，電沉積溶液中硫酸鎳鹽濃度為0.5～0.6mol/L、硼酸濃度為0.45～0.52mol/L，以含有硫化鋅納米線陣列的多孔氧化鋁模板為陰極，以石墨片為陽極，室溫下加以直流-4.0～-2.0V的電壓通過電化學置換反應獲得含有硫化鎳納米線陣列的多孔氧化鋁模板。

2.如權利要求1所述的硫化鎳納米線陣列的制備方法，其特征在于：獲得含有硫化鎳納米線陣列的多孔氧化鋁模板之后，溶去多孔氧化鋁模板獲得硫化鎳納米線陣列。

3.如權利要求1或2所述的硫化鎳納米線陣列的制備方法，其特征在于：所述硫酸鎳鹽為無水硫酸鎳、七水合硫酸鎳或其組合。

4.如權利要求1或2所述的硫化鎳納米線陣列的制備方法，其特征在于：陰陽兩極間距為50～80cm。

5.如權利要求1或2所述的硫化鎳納米線陣列的制備方法，其特征在于：電化學置換反應時間為5～8h。