[發明專利]用于有機pin型發光二極管的結構及其制造方法有效
| 申請號: | 200910225792.1 | 申請日: | 2006-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN101771134A | 公開(公告)日: | 2010-07-07 |
| 發明(設計)人: | 米夏埃爾·霍夫曼;揚·比爾恩施托克;揚·布洛赫維茨-尼莫特;安斯加爾·維爾納;梅爾廷·普法伊費爾;原田健太郎 | 申請(專利權)人: | 諾瓦萊德公開股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 張煥生;謝麗娜 |
| 地址: | 德國德*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 有機 pin 發光二極管 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機pin型發光二極管結構,具有電極、反電極和位于所 述電極和反電極之間的有機疊層,其中所述有機疊層包括:
包含k種有機基質材料的發射層,k=1,2,3,...;
設置在所述電極和所述發射層之間的摻雜電荷載流子傳輸層;
設置在所述反電極和所述發射層之間的附加摻雜電荷載流子傳輸 層;和
設置在所述摻雜電荷載流子傳輸層和所述發射層之間的阻擋層,
其中,利用n種有機基質材料形成所述有機疊層的各層,n≤k+2, 其中所述n種有機基質材料包括所述發射層的k種有機基質材料,其 特征在于所述摻雜電荷載流子傳輸層、所述阻擋層和附加摻雜電荷載 流子傳輸層由第一有機基質材料制成,該第一有機基質材料包括在所 述n種有機基質材料中。
2.根據權利要求1的結構,其特征在于具有設置在所述附加摻雜 電荷載流子傳輸層和所述發射層之間的附加阻擋層。
3.根據權利要求2的結構,其特征在于所述附加阻擋層由所述第 一有機基質材料制成。
4.根據權利要求1的結構,其特征在于所述發射層有至少一層由 第一有機基質材料制成,并被設置為鄰近于所述阻擋層和/或附加阻擋 層。
5.根據權利要求2的結構,其特征在于所述附加阻擋層由第二有 機基質材料制成。
6.根據權利要求5的結構,其特征在于所述發射層包括由第二有 機基質材料制成、并被設置為鄰近于所述附加阻擋層的至少一層。
7.根據權利要求1的結構,其特征在于所述發射層有至少一層由 第三有機基質材料制成,和/或至少一層由第四有機基質材料制成。
8.根據權利要求1的結構,其特征在于所述發射層摻雜有至少一 種發射體材料。
9.根據權利要求8的結構,其特征在于至少一種發射體材料是熒 光體。
10.根據權利要求8的結構,其特征在于至少一種發射體材料是 磷光體。
11.根據權利要求1的結構,其特征在于所述電極和/或反電極由 透明材料制成。
12.根據權利要求1的結構,其特征在于對于倒裝有機pin型發光 二極管,所述疊層和/或無阻擋層的疊層是以倒裝結構來實施的。
13.根據權利要求1所述的結構,其特征在于對于非倒裝有機pin 型發光二極管,所述疊層和/或無阻擋層的疊層是以非倒裝結構來實施 的。
14.有機pin型發光二極管,具有至少一個根據前述權利要求的任 何一項所述的結構。
15.具有發光元件的發光器件,所述發光元件包括至少一個根據 權利要求1至13的任何一項所述的結構。
16.具有發光元件的自發光顯示器件,所述發光元件具有至少一 個根據權利要求1至13的任何一項所述的結構。
17.顯示器件,具有至少一個根據權利要求1至13的任何一項所 述的結構。
18.用于制造根據權利要求1至13的任何一項所述的有機pin型 發光二極管結構的有機疊層的方法,其中,借助于沉積設備處理第一 有機基質材料并且所述有機基質材料用于所述疊層的幾個有機層,其 特征在于所述疊層的多個有機層是通過所述第一有機基質材料的沉積 而形成的,其中從包括在所述沉積設備中的單一蒸發源蒸發出所述第 一有機基質材料。
19.根據權利要求18的方法,其特征在于所述多個有機層通過所 述第一有機基質材料的沉積而形成,其中所述多個層的至少一部分的 連續基質由所述疊層中的所述第一有機基質材料形成。
20.根據權利要求19的方法,其特征在于,在由所述第一有機基 質材料形成所述連續基質期間,在中間步驟中,借助于摻雜材料的共 同蒸發來形成摻雜電荷載流子傳輸層,和/或形成阻擋層,和/或借助于 發射體材料的共同蒸發來形成發射層,和/或形成附加阻擋層,和/或借 助于附加摻雜材料的共同蒸發來形成附加摻雜電荷載流子傳輸層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





