[發(fā)明專利]用于半導體加工的管路系統(tǒng)與控制有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910224966.2 | 申請日: | 2009-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN101901741A | 公開(公告)日: | 2010-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張奕斌;陳其賢 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;F17D1/04 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 鄭特強;黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 半導體 加工 管路 系統(tǒng) 控制 | ||
1.一種真空系統(tǒng),用于一半導體制造,該真空系統(tǒng)包括:
一真空室,用于執(zhí)行一半導體加工;
一真空源;以及
一管路系統(tǒng),用以將該真空室流動連接于該真空源,其中,該管路系統(tǒng)設(shè)計為具有非水平的流路段部。
2.如權(quán)利要求1所述的真空系統(tǒng),其中,該管路系統(tǒng)包括一第一支管與一第二支管,相對于該真空源的該第一支管與該第二支管具有一對稱結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的真空系統(tǒng),其中,該第一支管與該第二支管實質(zhì)上具有相同結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求2所述的真空系統(tǒng),其中,該第一支管與該第二支管分別具有一分叉接頭,所述分叉接頭為流體連接于該真空室,該分叉接頭具有兩入口段部與一結(jié)合出口段部,該分叉接頭設(shè)計為具有非水平的流路段部。
5.如權(quán)利要求1所述的真空系統(tǒng),其中,該管路系統(tǒng)包括具有一節(jié)流閥的一第一支管與具有一節(jié)流閥的一第二支管,該第一支管的該節(jié)流閥與該第二支管的該節(jié)流閥分別獨立控制且以可操作方式對于該第一支管與該第二支管內(nèi)的壓力進行調(diào)整。
6.如權(quán)利要求5所述的真空系統(tǒng),還包括一隔離閥與一分叉接頭,該隔離閥設(shè)置于該真空源的上游且經(jīng)由流體連通于該第一支管與該第二支管,該分叉接頭耦接于該第一支管的該節(jié)流閥與該第二支管的該節(jié)流閥且流動連接于該真空室。
7.一種真空控制系統(tǒng),用于一半導體制造機器,該真空控制系統(tǒng)包括:
一真空室,用于執(zhí)行一半導體加工,該真空室包括一室壓力傳感器,該室壓力傳感器以可操作方式對于該真空室內(nèi)的壓力進行量測,并且該室壓力傳感器對于指示所量測室壓力的一信號進行傳送;
一真空源;
一第一支管,流動連接于該真空室,該第一支管包括一第一節(jié)流閥與一第一壓力傳感器,該第一壓力傳感器以可操作方式對于該第一支管內(nèi)的壓力進行量測,并且該第一壓力傳感器對于指示所量測第一分支壓力的一信號進行傳送;
一第二支管,流動連接于該真空室,該第二支管包括一第二節(jié)流閥與一第二壓力傳感器,該第二壓力傳感器以可操作方式對于該第二支管內(nèi)的壓力進行量測,并且該第二壓力傳感器對于指示所量測第二分支壓力的一信號進行傳送;
該第一支管與該第二支管聚集且流動連接于該真空源;以及
一系統(tǒng)控制器,接收來自于該室壓力傳感器的該信號、該第一壓力傳感器的該信號、該第二壓力傳感器的該信號,執(zhí)行的控制邏輯的該系統(tǒng)控制器設(shè)計用以:
對于來自于該第一壓力傳感器所量測壓力與來自于該第二壓力傳感器所量測壓力進行比較;以及
對于該第一節(jié)流閥或該第二節(jié)流閥進行節(jié)流下而對于該第一支管與該第二支管中的壓力進行平衡。
8.如權(quán)利要求7所述的真空控制系統(tǒng),其中,該控制邏輯還設(shè)計用以感測該第一節(jié)流閥與該第二節(jié)流閥的操作位置、對于該第一節(jié)流閥與該第二節(jié)流閥的所述操作位置與一控制限之間進行比較、在該第一節(jié)流閥或該第二節(jié)流閥的該操作位置超過該控制限時便停止了該半導體制造機器。
9.如權(quán)利要求7所述的真空控制系統(tǒng),其中,該控制邏輯還設(shè)計用以對于該室壓力與該第一分支壓力/該第二分支壓力、在該第一分支壓力或該第二分支壓力實質(zhì)上不相同于位于一預定控制限內(nèi)的該室壓力時便停止了該半導體制造機器。
10.如權(quán)利要求7所述的真空控制系統(tǒng),還包括一隔離閥,該隔離閥設(shè)置于該真空源的上游且經(jīng)由流體連通于該第一支管與該第二支管,該系統(tǒng)控制器以可操作方式對于該隔離閥進行開啟或關(guān)閉。
11.一種用以控制一真空系統(tǒng)的方法,用于一半導體制造,該方法包括以下步驟:
提供一真空室、一真空源與一管路系統(tǒng),該管路系統(tǒng)用以將該真空室流動連接于該真空源;
在該管路系統(tǒng)的一第一支管與一第二支管中進行壓力量測;
比較該第一支管與該第二支管中所量測壓力;以及
調(diào)整該第一支管與該第二支管內(nèi)的壓力。
12.如權(quán)利要求11所述的方法,其中,該調(diào)整步驟包括了對于在該第一支管內(nèi)的一第一節(jié)流閥與在該第二支管內(nèi)的一第二節(jié)流閥中的至少一個進行節(jié)流。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910224966.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





