[發(fā)明專利]薄膜晶體管和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910224527.1
• 申請(qǐng)日: 2009-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN101740636A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 德永和彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/49;G02F1/1368
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 李穎

1.一種薄膜晶體管，包括：

基片(11)；

在基片(11)上的選擇區(qū)域中的柵電極(12)；

形成為覆蓋基片(11)和柵電極(12)的柵極絕緣膜(13)；

設(shè)置在柵極絕緣膜(13)上的氧化物半導(dǎo)體膜(14)，在氧化物 半導(dǎo)體膜(14)中對(duì)應(yīng)于柵電極(12)的區(qū)域中形成溝道(14A)；

在氧化物半導(dǎo)體膜(14)中形成的溝道(14A)上設(shè)置的溝道保 護(hù)膜(15)；

作為源電極和漏電極、與氧化物半導(dǎo)體膜相接觸地形成的一對(duì)電 極，所述一對(duì)電極是通過(guò)疊層至少第一和第二金屬層而獲得的，所述 第一金屬層與所述氧化物半導(dǎo)體膜相接觸，所述源電極和漏電極覆蓋 被溝道保護(hù)膜(15)暴露的氧化物半導(dǎo)體膜(14)；

其中第一金屬層由離子化能量等于或高于鉬(Mo)的金屬制 成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中第一金屬層是由鉬 制成的。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述一對(duì)電極中的 每一個(gè)是通過(guò)在第二金屬層上進(jìn)一步疊層第三金屬層而獲得的。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其中第二金屬層由鋁 (Al)制成，第三金屬層由鈦(Ti)制成。

5.一種包括顯示元件和用于驅(qū)動(dòng)該顯示元件的薄膜晶體管的顯 示裝置，

其中所述薄膜晶體管包括：

基片(11)；

在基片(11)上的選擇區(qū)域中的柵電極(12)；

形成為覆蓋基片(11)和柵電極(12)的柵極絕緣膜(13)；

設(shè)置在柵極絕緣膜(13)上的氧化物半導(dǎo)體膜(14)，在氧化物 半導(dǎo)體膜(14)中對(duì)應(yīng)于柵電極(12)的區(qū)域中形成溝道(14A)；

在氧化物半導(dǎo)體膜(14)中形成的溝道(14A)上設(shè)置的溝道保 護(hù)膜(15)；

作為源電極和漏電極、與氧化物半導(dǎo)體膜相接觸地形成的一對(duì)電 極，所述一對(duì)電極是通過(guò)疊層至少第一和第二金屬層而獲得的，所述 第一金屬層與所述氧化物半導(dǎo)體膜相接觸，所述源電極和漏電極覆蓋 被溝道保護(hù)膜(15)暴露的氧化物半導(dǎo)體膜(14)；并且

第一金屬層由離子化能量等于或高于鉬(Mo)的金屬制成。