[發明專利]一種半導體封裝結構及封裝方法

無效

• 申請號: 200910222000.5
• 申請日: 2009-11-18
• 公開（公告）號: CN101699621A
• 公開（公告）日: 2010-04-28
• 發明（設計）人: 孟博;秦海英;蘇云榮
• 申請（專利權）人: 濟南晶恒電子有限責任公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/482;H01L23/04;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 李桂存

1.一種半導體封裝結構，包括基板(4)、封裝殼體(1)和設置于基板和封裝殼體之間的半導體晶片(2)，其特征在于：所述的基板上設置有若干貫穿于基板的與半導體晶片電性連接的導電電極(3)。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述的導電電極(3)包括與半導體晶片(2)的晶片電極(11)電性連接的上部焊點(6)和位于基板(4)下表面的下部引腳(7)，所述的上部焊點與下部引腳通過設置于基板上的通孔(5)連接為一體。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述的通孔(5)為設置于基板(4)邊緣處的弧形缺口或貫穿于基板的通孔。

4.根據權利要求2或3所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述晶片電極(11)位于半導體晶片(2)的一側。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述封裝殼體(1)對基板(4)的上側面全部封裝或僅封裝半導體晶片(2)的上側面。

6.一種實現如權利要求1所述的半導體封裝結構的方法，其特征在于：包括以下步驟：

a.對大基板進行切割；

b.在大基板上進行打孔；

c.在大基板的上表面和下表面均制作電極；

d.把大基板上表面和下表面對應的電極通過過孔進行電連接；

e.將晶片電極與大基板對應表面上的導電電極進行焊接；

f.然后對大基板上的晶片進行包封；

g.將大基板按照單個晶片分離成最小單元。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述的b步驟可以在步驟a之后進行，也可以在步驟c后進行。

8.根據權利要求6或8所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述步驟f還包括對暴露的電極鍍焊接金屬。