[發明專利]圖像傳感器的制造方法

無效

• 申請號: 200910221301.6
• 申請日: 2009-11-11
• 公開（公告）號: CN101740511A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 鄭沖耕
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/768;H01L27/146
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;邢雪紅

1.一種方法，包括如下步驟：

在半導體襯底上方形成層間電介質，所述層間電介質包括互連件；

通過在所述半導體襯底上執行蝕刻工藝，形成穿過所述層間電介質的導通孔，所述導通孔暴露所述互連件；

在包括所述導通孔的所述半導體襯底上執行第一清洗工藝和第二清洗工藝；

通過在所述導通孔中填充金屬材料，形成接觸插塞；以及

在包括所述互連件和所述接觸插塞的所述層間電介質上方形成圖像感測單元，

其中所述第一和第二清洗工藝包括通過蝕刻工藝除去在所述導通孔的側壁上方形成的殘留物。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述第一清洗工藝包括通過所述蝕刻工藝從形成于所述導通孔的側壁上方的所述殘留物中除去暴露的殘留物，

其中所述第二清洗工藝包括在所述第一清洗工藝之后除去剩余的殘留物。

3.如權利要求1所述的方法，其中利用去離子水來執行所述第一清洗工藝，

其中所述第一清洗工藝在大約70℃至大約90℃的溫度中執行，

其中所述第一清洗工藝執行大約5分鐘至大約20分鐘。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述第一清洗工藝包括利用旋轉法注入所述去離子水，

其中所述旋轉法包括以大約200rpm至大約800rpm的速度旋轉所述半導體襯底。

5.如權利要求1所述的方法，其中利用包括NH₄F化學制品的堿溶液來執行所述第二清洗工藝。

6.如權利要求1所述的方法，包括在執行所述第一清洗工藝和所述第二清洗工藝之后，通過N₂工藝干燥所述半導體襯底，

其中所述半導體襯底的干燥包括以大約1000rpm至大約2000rpm的速度旋轉所述半導體襯底大約1分鐘至大約30分鐘。

7.一種裝置，被配置為：

在半導體襯底上方形成層間電介質，所述層間電介質包括互連件；

通過在所述半導體襯底上執行蝕刻工藝，形成穿過所述層間電介質的導通孔，且所述導通孔暴露所述互連件；

在包括所述導通孔的所述半導體襯底上執行第一清洗工藝和第二清洗工藝；

通過在所述導通孔中填充金屬材料而形成接觸插塞；以及

在包括所述互連件和所述接觸插塞的所述層間電介質上方形成圖像感測單元，

其中所述第一和第二清洗工藝包括通過所述蝕刻工藝除去在所述導通孔的側壁上方形成的殘留物。

8.如權利要求7所述的裝置，被配置為：在所述第一清洗工藝中，通過所述蝕刻工藝，從形成于所述導通孔的側壁上方的殘留物中除去暴露的殘留物。

9.如權利要求7所述的裝置，被配置為在所述第一清洗工藝之后，在所述第二清洗工藝期間除去剩余的殘留物，

被配置為利用去離子水執行所述第一清洗工藝，

被配置為利用包括NH₄F化學制品的堿溶液執行所述第二清洗工藝。

10.如權利要求10所述的裝置，被配置為在所述第一清洗工藝期間，利用旋轉法注入所述去離子水，

被配置為在所述第一清洗工藝期間以大約200rpm至大約800rpm的速度旋轉所述半導體襯底。