[發明專利]提供具有適應性溫度系數的參考信號產生器及方法無效
| 申請號: | 200910220926.0 | 申請日: | 2009-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN102064822A | 公開(公告)日: | 2011-05-18 |
| 發明(設計)人: | 呂紹鴻;陳曜洲 | 申請(專利權)人: | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03L1/02 | 分類號: | H03L1/02 |
| 代理公司: | 上海天協和誠知識產權代理事務所 31216 | 代理人: | 張榮義 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提供 具有 適應性 溫度 系數 參考 信號 產生器 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種參考信號產生器,具體地說,是一種提供具有適應性溫度系數的參考信號產生器及方法。
背景技術
圖1是傳統的降壓式電壓調節器,其包括上橋晶體管M1經相節點12連接下橋晶體管M2,控制芯片10提供控制信號UG及LG分別切換上橋晶體管M1及下橋晶體管M2,以控制電感電流IL對電容Co充電而產生輸出電壓Vout。為了避免電壓調節器損毀,因此電壓調節器內會設置一些保護電路。以過電流保護為例,傳統的方法是以通過下橋晶體管M2的電流來判斷是否過電流,一般都是檢測相節點12的相電壓VPH來確認通過下橋晶體管M2的電流。為了判斷是否發生過電流,需要參考信號產生器提供參考信號與相電壓VPH做比較,當相電壓VPH大于所述參考信號時,即表示發生過電流。從圖1可知,相電壓
VPH=IL×RDS,????公式1
其中RDS為下橋晶體管M2的導通阻值。下橋晶體管M2本身具有溫度系數,因此導通阻值RDS會隨溫度變化,所以實際上過電流保護發生時的電感電流IL常常受溫度的影響而有所差異。雖然也可以針對參考信號設定溫度系數,但是過電流保護電路是在控制芯片10中,而下橋晶體管M2是在控制芯片10的外部,所以熱梯度(heat?gradient)不相等,這使得參考信號的溫度系數難以設定。傳統的方法通常利用偏移來補償下橋晶體管M2的溫度系數,然而復雜的偏移計算將增加額外工作量以及未知的系統設計。
因此已知的針對參考信號設定溫度系數的裝置及偏移計算方法存在著上述種種不便和問題。
發明內容
本發明的目的,在于提出一種提供具有適應性溫度系數的參考信號的參考信號產生器。
本發明的另一目的,在于提出一種提供具有適應性溫度系數的參考信號的方法。
為實現上述目的,本發明的技術解決方案是:
一種提供具有適應性溫度系數的參考信號的參考信號產生器,其特征在于包括:
電壓源,提供一無關溫度變化且可變的第一電壓;以及
壓降電路連接所述電壓源,提供具有第一溫度系數的第二電壓與所述第一電壓相減以產生具有第二溫度系數的參考信號,所述第二溫度系數隨所述第一電壓改變。
本發明的參考信號產生器還可以采用以下的技術措施來進一步實現。
前述的參考信號產生器,其中所述電壓源包括:
可變的第一電阻;以及
第二電阻,與所述第一電阻串聯以分壓無關溫度變化的第三電壓以產生所述第一電壓。
前述的參考信號產生器,其中所述壓降電路包括BJT,所述BJT具有基極連接所述電壓源以及射極提供所述參考信號,在所述BJT的基極及射極之間具有所述第二電壓。
前述的參考信號產生器,其中所述壓降電路包括MOS,所述MOS具有閘極連接所述電壓源以及源極提供所述參考信號,所述MOS的臨界電壓為所述第二電壓。
前述的參考信號產生器,其中所述壓降電路包括二極管,所述二極管具有陽極連接所述電壓源以及陰極提供所述參考信號,在所述二極管的陽極及陰極之間具有所述第二電壓。
一種提供具有適應性溫度系數的參考信號的方法,其特征在于包括下列步驟:
第一步驟:提供一無關溫度變化且可變的第一電壓;
第二步驟:提供具有第一溫度系數的第二電壓;以及
第三步驟:將所述第一電壓減去所述第二電壓產生具有第二溫度系數的參考信號,所述第二溫度系數隨所述第一電壓改變。
采用上述技術方案后,本發明的提供具有適應性溫度系數的參考信號的參考信號產生器及方法具有提供具有適應性溫度系數的參考信號的優點。
附圖說明
圖1為已知的降壓式電壓調節器;
圖2為本發明的實施例示意圖;
圖3為參考信號產生器的第二實施例示意圖;以及
圖4為參考信號產生器的第三實施例示意圖。
圖中,10、控制芯片12、相節點20、參考信號產生器22、電壓源24、運算放大器26、壓降電路28、BJT晶體管30、電壓對電壓轉換器32、電壓電流轉換器34、電流鏡36、比較器38、MOS晶體管40、二極管。
具體實施方式
以下結合實施例及其附圖對本發明作更進一步說明。
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