[發(fā)明專利]激光加工方法、激光加工裝置以及芯片的制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200910220845.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-11-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102049612A | 公開(公告)日: | 2011-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 遠(yuǎn)藤智裕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類號(hào): | B23K26/00 | 分類號(hào): | B23K26/00;B28D5/04;H01L21/00;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 加工 方法 裝置 以及 芯片 制造 | ||
1.一種激光加工方法,對(duì)晶片的透明基板照射激光束來進(jìn)行燒蝕加工,該晶片在上述透明基板的表面上形成有功能層,在由排列成格子狀的多個(gè)間隔道形成的多個(gè)區(qū)域中,形成有器件,其特征在于,該激光加工方法包含以下工序:
保持工序,對(duì)上述晶片進(jìn)行保持;
設(shè)定工序,針對(duì)上述各間隔道,交替地設(shè)定形成加工槽的加工區(qū)域和形成比上述加工槽淺的淺槽的加工起點(diǎn)區(qū)域,將其設(shè)定信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部中;以及
加工工序,根據(jù)存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)部中的上述設(shè)定信息,使上述激光束的照射點(diǎn)從上述各間隔道的一端向另一端進(jìn)行掃描,連續(xù)地形成上述加工槽和上述淺槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光加工方法,其特征在于,
在上述加工工序中,在改變輸出的同時(shí),使上述激光束的照射點(diǎn)從上述各間隔道的一端向另一端進(jìn)行掃描,連續(xù)地形成上述加工槽和上述淺槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光加工方法,其特征在于,
上述透明基板由藍(lán)寶石基板構(gòu)成,上述功能層由氮化物半導(dǎo)體層構(gòu)成,上述器件為發(fā)光二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任意一項(xiàng)所述的激光加工方法,其特征在于,
將上述加工區(qū)域設(shè)定為包含排列成格子狀的多個(gè)間隔道的交叉點(diǎn)位置的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任意一項(xiàng)所述的激光加工方法,其特征在于,
將上述加工區(qū)域的長(zhǎng)度與上述加工起點(diǎn)區(qū)域的長(zhǎng)度之比設(shè)定為1∶1~2∶1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任意一項(xiàng)所述的激光加工方法,其特征在于,
將上述加工槽的深度設(shè)定為15~25μm。
7.一種激光加工裝置,該激光加工裝置具有:保持單元,其對(duì)晶片進(jìn)行保持,該晶片在透明基板的表面上形成有功能層,在由排列成格子狀的多個(gè)間隔道形成的多個(gè)區(qū)域中,形成有器件;以及加工單元,其對(duì)保持在該保持單元上的上述晶片的上述透明基板照射激光束來進(jìn)行燒蝕加工,該激光加工裝置的特征在于,
該激光加工裝置具有控制單元,該控制單元控制上述加工單元,使得:針對(duì)上述各間隔道,交替地設(shè)定形成加工槽的加工區(qū)域和形成比上述加工槽淺的淺槽的加工起點(diǎn)區(qū)域,使上述激光束的照射點(diǎn)從上述各間隔道的一端向另一端進(jìn)行掃描,連續(xù)地形成上述加工槽和上述淺槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的激光加工裝置,其特征在于,
上述控制單元控制上述加工單元,使得:在改變輸出的同時(shí),使上述激光束的照射點(diǎn)從上述各間隔道的一端向另一端進(jìn)行掃描,連續(xù)地形成上述加工槽和上述淺槽。
9.一種芯片的制造方法,該芯片在切斷面上具有由熔融層形成的凹凸?fàn)?,該芯片的制造方法的特征在于,包含以下工序?/p>
保持工序,對(duì)晶片進(jìn)行保持,該晶片在透明基板的表面上形成有功能層,在由排列成格子狀的多個(gè)間隔道形成的多個(gè)區(qū)域中,形成有器件;
設(shè)定工序,針對(duì)各間隔道,交替地設(shè)定形成加工槽的加工區(qū)域和形成比上述加工槽淺的淺槽的加工起點(diǎn)區(qū)域,將設(shè)定信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部中;
加工工序,根據(jù)存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)部中的上述設(shè)定信息,使燒蝕加工用的激光束的照射點(diǎn)從上述各間隔道的一端向另一端進(jìn)行掃描,在上述透明基板上連續(xù)地形成上述加工槽和上述淺槽;以及
分割工序,對(duì)上述間隔道施加外力,將上述晶片分割成器件單位的芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的芯片的制造方法,其特征在于,
上述芯片為發(fā)光二極管。
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B23K 釬焊或脫焊;焊接;用釬焊或焊接方法包覆或鍍敷;局部加熱切割,如火焰切割;用激光束加工
B23K26-00 用激光束加工,例如焊接,切割,打孔
B23K26-02 .工件的定位和觀測(cè),如相對(duì)于沖擊點(diǎn),激光束的對(duì)正,瞄準(zhǔn)或聚焦
B23K26-08 .激光束與工件具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的裝置
B23K26-12 .在一特殊氣氛中,例如在罩中
B23K26-14 .利用流體,如氣體的射流,與激光束相結(jié)合
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