[發(fā)明專(zhuān)利]利用多層薄膜型電子源的平面氣體激發(fā)光源

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910218902.1
• 申請(qǐng)日: 2009-11-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101714496A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡文波;鄭宇;吳勝利;劉純亮;高燕龍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安交通大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01J63/02
• 分類(lèi)號(hào): H01J63/02;H01J63/04
• 代理公司: 西安通大專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 陸萬(wàn)壽

1.一種利用多層薄膜型電子源的平面氣體激發(fā)光源，包括由玻璃材料制成的前基板 (1)和后基板(2)，其特征在于：所述后基板(2)上設(shè)置有能產(chǎn)生表面電子發(fā)射的電子 源；所述前基板(1)和后基板(2)中至少一個(gè)涂覆有熒光粉層(4)；在前基板(1)上 設(shè)置陽(yáng)極(3)；

所述電子源具有金屬-絕緣體-金屬的多層膜結(jié)構(gòu)，由上電極(7)、絕緣膜(6)和 下電極(5)構(gòu)成；所述下電極(5)平鋪在后基板(2)表面，絕緣膜(6)平鋪在下電極 (5)表面，上電極(7)平鋪在絕緣膜(6)表面；

或者具有金屬-絕緣體-半導(dǎo)體-金屬的多層膜結(jié)構(gòu)，由上電極(7)、半導(dǎo)體膜(8)、 絕緣膜(6)和下電極(5)構(gòu)成；后基板上依次設(shè)置下電極(5)、絕緣膜(6)、半導(dǎo)體 膜(8)和上電極(7)；

所述前基板(1)和后基板(2)之間充有惰性氣體，電子源置于惰性氣體中；

電子源向氣體空間發(fā)射電子，電子向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)過(guò)程中與氣體原子發(fā)生碰撞激發(fā)，通過(guò) 控制上電極、陽(yáng)極與下電極間的電壓，使得發(fā)射出的電子的能量高于氣體原子的激發(fā)能， 但低于氣體原子的電離能，這些電子直接激發(fā)氣體原子而不引起電離，從而產(chǎn)生紫外線， 再由紫外線激勵(lì)熒光粉發(fā)出可見(jiàn)光。

2.如權(quán)利要求1所述一種利用多層薄膜型電子源的平面氣體激發(fā)光源，其特征在于： 所述絕緣膜(6)材料從三氧化二鋁、二氧化硅、氧化鎂、五氧化二鉭、氮化硅、二氧化 鉿和氧化鋯中選擇，膜厚為3-500nm。

3.如權(quán)利要求1所述一種利用多層薄膜型電子源的平面氣體激發(fā)光源，其特征在于： 所述絕緣膜(6)具有多晶或非晶結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述一種利用多層薄膜型電子源的平面氣體激發(fā)光源，其特征在于： 所述半導(dǎo)體膜(8)材料從硫化鋅、氧化鋅、氧化鎂鋅、硫化鎂、硫化鎘、硒化鋅、硒化 鎘中選擇，膜厚為3-100nm。

5.如權(quán)利要求1所述一種利用多層薄膜型電子源的平面氣體激發(fā)光源，其特征在于： 所述下電極(5)選用Al、W、Cr、Ni、Mo材料制作，上電極(7)選用Au、Pt、Ir材料 制作。