[發明專利]一種用于加工電子封裝元件切割的金剛石超薄切片配方及生產工藝

無效

• 申請號: 200910218726.1
• 申請日: 2009-10-30
• 公開（公告）號: CN101862986A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 張庚超
• 申請（專利權）人: 西安澤豪實業有限責任公司
• 主分類號: B24B27/06
• 分類號: B24B27/06;B24D3/06;B24D18/00
• 代理公司: 西安吉盛專利代理有限責任公司 61108
• 代理人: 鮑燕平

1.一種用于加工電子封裝元件切割的金剛石超薄切片配方及生產工藝，其特征是：該切片是由銅粉粘接劑加輔助金屬填料之和為100％配比混合，其中銅粉粘接劑是55％，平均粒徑為0.46μm；輔助填料錫粉15％，銀粉15％，氧化鋅粉6.5％，碳粉3％鐵粉5％，外加0.5％石墨粉，按刀片尺寸的體積加入金剛石含量為0.88G/CBM的金剛石磨料與輔助金屬填料、粘接劑混合。

2.根據權利要求1所述的一種用于加工電子封裝元件切割的金剛石超薄切片配方，其特征是：所述金剛石粉平均粒徑為0.46μm。

3.根據權利要求1所述的一種用于加工電子封裝元件切割的金剛石超薄切片，其特征是：所述的刀片是圓環形狀，外觀尺寸外徑×內徑×厚度為52×40×0.1，單位是mm。

4.一種用于加工電子封裝元件切割的金剛石超薄切片配方及生產工藝，其特征是：上述復合金剛石切片的塵產工藝流程為：1)混合配料；2)裝模投料；3)預壓及定模熱壓；4)卸模硬化；5)氣氛保護冷卻；6)機械加工；7)產品檢驗；8)烙印及包裝入庫。

5.根據權利要求4所述的一種用于加工電子封裝元件切割的金剛石超薄切片配方及生產工藝，其特征是：所述該金剛石切片的具體工藝步驟如下：

1)混合配料：

a)按照上述重量百分配比將原料：輔助調料、金剛石料混合均勻；然后將兩種原料經球磨機進行1)球磨、2)振磨、3)球磨，再將上述重量百分比的粘接劑將球磨后的原料粘接均勻，再加分散劑乙醇將粉料分散均勻，80目過篩，混合料于真空箱內烘干；

b)混合造粒：①將步驟a)粉料預壓成塊狀體，砸碎后分別用20目和40目的篩子過篩，去除大于20目小于40目的粉體；②滾筒式造粒，用球磨桶和球磨機連續滾動而成；

2)裝模投料

將混合后的原料裝入預制的模具內，涂上硬脂酸鋅防粘劑，將料投入膜腔內攪勻、刮平；

3)預壓及定模熱壓：

將上述經造粒后的原料通過復合金剛石切片模具進行壓制，然后在帶有加熱板的壓機上熱壓到規定尺寸；

4)卸模硬化

保溫結束熱脫模，產品毛坯緩冷至室溫；鼓風電熱烘箱硬化；

5)氣氛保護冷卻：

將坯體在真空狀態下升溫至1200℃，加入2MPa的氬氣保護；然后升溫至1850℃時，保溫30分鐘，再加入8MPa的氬氣，隨爐冷卻；其真空溫度分別為400℃和1200℃；

6)機械加工：

用樹脂結合劑砂輪并通過C18WC磨削液對上述處理后的刀片進行刃磨；

7)產品檢驗；

8)烙印包裝入庫。

6.根據權利要求5所述的一種用于加工電子封裝元件切割的金剛石超薄切片配方及生產工藝，其特征是：所述真空箱內烘烤溫度不高于80℃。

7.根據權利要求5所述的一種用于加工電子封裝元件切割的金剛石超薄切片配方及生產工藝，其特征是：所述滾筒式造粒連續滾動30～60分鐘。

8.根據權利要求5所述的一種用于加工電子封裝元件切割的金剛石超薄切片配方及生產工藝，其特征是：所述預壓壓機壓力為300-600kg/cm²；熱壓溫度為170-180℃，保溫10-30min。

9.根據權利要求5所述的一種用于加工電子封裝元件切割的金剛石超薄切片配方及生產工藝，其特征是：所述電熱烘箱185℃硬化8h。