[發明專利]交換耦合型納米點的制備方法

無效

• 申請號: 200910218043.6
• 申請日: 2009-12-09
• 公開（公告）號: CN102097104A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 王雅新;張永軍;丁雪;楊艷婷;楊景海
• 申請（專利權）人: 吉林師范大學
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/667
• 代理公司: 吉林省長春市新時代專利商標代理有限公司 22204
• 代理人: 石岱

1.一種交換耦合型納米點的制備方法，其特征在于：該制備方法包括以下步驟：

①、襯底的制備，采用自組裝技術制備單層呈六角密堆的膠體陣列球面襯底；

②、雙層膜沉積，采用濺射技術向①中制得的膠體陣列球面襯底上沉積FeNi/NiO雙層膜，使得小球間隙的薄膜厚度僅為小球頂部薄膜厚度的2/3，從而獲得具有交換偏置作用的交換耦合型納米點納。

2.根據權利要求1所述的一種交換耦合型納米點的制備方法，其特征在于：所述膠體陣列球面襯底上沉積薄膜時，薄膜的厚度沿球面逐漸減小，其厚度關系式為t＝t₀sinθ。

3.根據權利要求1所述的一種交換耦合型納米點的制備方法，其特征在于：所述FeNi/NiO雙層膜存在產生交換偏置效應的臨界厚度t_c，當薄膜厚度小于該臨界厚度t_c時，該雙層膜不表現交換偏置效應；當薄膜厚度大于t_c時，厚度大于t_c的部分薄膜具有交換偏置效應。

4.根據權利要求1所述的一種交換耦合型納米點的制備方法，其特征在于：所述向密堆排列單層膠體球陣列襯底上沉積薄膜時，陰影效應使得小球間隙的薄膜厚度僅為小球頂部薄膜厚度的2/3，穿過小球間隙沉積到襯底上的薄膜，由于厚度被削減了1/3而不具有交換偏置作用。

5.根據權利要求1所述的一種交換耦合型納米點的制備方法，其特征在于：所述沉積FeNi/NiO雙層膜薄膜厚度被控制為25～35nm，產生交換偏置效應的臨界厚度t_c為23nm。