[發(fā)明專利]計(jì)算硅鍺超晶格材料界面熱阻的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910217466.6 | 申請日: | 2009-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN101760183A | 公開(公告)日: | 2010-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫兆偉;張興麗 | 申請(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | C09K5/14 | 分類號: | C09K5/14 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人: | 張宏威 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 計(jì)算 硅鍺超 晶格 材料 界面 方法 | ||
1.計(jì)算硅鍺超晶格材料界面熱阻的方法,其特征在于具體步驟如下:
步驟一:建立硅鍺超晶格材料的非平衡態(tài)分子動(dòng)力學(xué)導(dǎo)熱模型;
步驟二:設(shè)定步驟一中導(dǎo)熱模型中粒子的初始狀態(tài),所述初始狀態(tài)包括粒子的初始位置和速度,硅、鍺粒子的初始位置分布在面心立方結(jié)構(gòu)的晶格點(diǎn)陣上,而粒子的初始速度的分布采用麥克斯韋速度分布;將系統(tǒng)溫度調(diào)整到要求溫度,重新標(biāo)定硅、鍺超晶格材料中粒子在要求溫度下的速度;
步驟三:根據(jù)步驟二中獲得的粒子速度,采用Stillinger-Webber多體勢能函數(shù)來計(jì)算硅、鍺分子之間的作用勢能;
步驟四:根據(jù)分子動(dòng)力學(xué)分析方法,用步驟三中計(jì)算得到的勢能函數(shù)的梯度來計(jì)算硅鍺超晶格材料中粒子間作用力;
步驟五:由步驟四獲得的粒子間作用力,求得硅鍺超晶格材料中粒子的運(yùn)動(dòng)方程,采用Verlet蛙跳算法對運(yùn)動(dòng)方程進(jìn)行積分,計(jì)算粒子在t時(shí)刻的新位置和速度;
步驟六:采用各向異性非平衡態(tài)分子動(dòng)力學(xué)方法來計(jì)算界面熱阻,選用恒溫墻方法對系統(tǒng)施加溫度梯度,計(jì)算導(dǎo)熱方向每一層粒子的溫度,并且對溫度進(jìn)行量子化修正;利用公式
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)算硅鍺超晶格材料界面熱阻的方法,其特征在于步驟一具體為:以硅鍺材料交替生長方向?yàn)閄方向,X方向、Y方向與Z方向滿足右手定則,在X方向布置隨機(jī)恒溫?zé)釅?,以建立溫度梯度,高溫?zé)釅偷蜏責(zé)釅Φ牟牧暇c各自臨近的超晶格材料相同;導(dǎo)熱模型的最外層設(shè)置絕熱壁;在Y方向、Z方向施加周期性邊界條件,并且面YOZ的截面面積大于3UC×3UC(Unit?Cell,晶胞長度),選取YOZ橫截面積An為4UC×4UC。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于哈爾濱工業(yè)大學(xué),未經(jīng)哈爾濱工業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910217466.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C09K 不包含在其他類目中的各種應(yīng)用材料;不包含在其他類目中的材料的各種應(yīng)用
C09K5-00 傳熱、熱交換或儲熱的材料,如制冷劑;用于除燃燒外的化學(xué)反應(yīng)方式制熱或制冷的材料
C09K5-02 .在使用時(shí)發(fā)生物理狀態(tài)變化的材料
C09K5-08 .在使用時(shí)未發(fā)生物理狀態(tài)變化的材料
C09K5-16 .在使用時(shí)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料
C09K5-20 .其中所用的防凍劑,如用于散熱器用液
C09K5-18 ..不可逆的化學(xué)反應(yīng)
- 計(jì)算硅鍺超晶格材料界面熱阻的方法
- Si/Ge超晶格量子級聯(lián)激光器及其制備方法
- 三層混合晶向絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法
- 一種基于介質(zhì)超表面的垂直入射型硅基鍺光電探測器
- 制備鍺硅半導(dǎo)體材料層的方法、鍺硅半導(dǎo)體材料層
- 光檢測器
- 圖形硅襯底-硅鍺薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用
- 平面超晶格納米線場效應(yīng)晶體管及其制備方法
- 生成式對抗網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)的硅鍺超晶格發(fā)光新材料開發(fā)技術(shù)
- 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)





