[發明專利]硅酸鈣鎂礦物晶須表面化學鍍錫鎳配方及工藝無效
| 申請號: | 200910216280.9 | 申請日: | 2009-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN101701335A | 公開(公告)日: | 2010-05-05 |
| 發明(設計)人: | 管登高;孫傳敏;林金輝;陳善華;龍劍平;王自友;盧長壽 | 申請(專利權)人: | 成都理工大學 |
| 主分類號: | C23C18/48 | 分類號: | C23C18/48;C23C18/18 |
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| 地址: | 610059 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅酸 礦物 表面 化學 鍍錫 配方 工藝 | ||
1.一種硅酸鈣鎂礦物晶須表面化學鍍錫鎳配方,其特征在于以硅酸鈣鎂礦物晶須為基體,對其進行化學鍍錫鎳,化學鍍錫鎳液配方如下:
氯化亞錫????????20~50g/L
硫酸鎳??????????5~20g/L
次亞磷酸鈉??????25~60g/L
乳酸????????????60~100g/L
2.根據權利要求1所述的一種硅酸鈣鎂礦物晶須表面化學鍍錫鎳預處理工藝,工藝包括硅酸鈣鎂礦物晶須除油、粗化、敏化、活化等預處理,其特征在于預處理工藝步驟如下:
(1)用丙酮除油,并用蒸餾水進行水洗;
(2)將步驟(1)處理過的硅酸鈣鎂礦物晶須浸入濃度為0.5~5%的硅烷偶聯劑溶液中,浸漬2-20分鐘,過濾,烘干;
(3)將步驟(2)處理過的硅酸鈣鎂晶須浸入濃度為40-65%的硝酸溶液進行粗化處理處理10~60分鐘,硝酸溶液的溫度維持在40~80℃;
(4)將步驟(3)處理過的硅酸鈣鎂晶須浸入濃度為5~20g/L?SnCl2·2H2O和10~30g/LHCl混合溶液中進行敏化處理;
(5)將步驟(4)處理過的硅酸鈣鎂晶須在0.1~2g/L?PdCl2和1~20mL/L?HCl混合溶液中進行活化處理。
3.根據權利要求1和2所述的一種硅酸鈣鎂礦物晶須表面化學鍍錫鎳工藝,其特征在于硅酸鈣鎂礦物晶須表面化學鍍錫鎳工藝步驟如下:
(1)按權利要求1所述的化學鍍錫鎳配方,分別用蒸餾水溶解氯化亞錫,硫酸鎳,次亞磷酸鈉和乳酸;
(2)將已完全溶解的氯化亞錫和硫酸鎳溶液混合均勻后,加入到乳酸溶液中,攪拌均勻;
(3)將次亞磷酸鈉溶液緩慢加入步驟(2)所配好的溶液,并稀釋致所需體積,用鹽酸調節pH值至2~6;
(4)將按權利要求2所述的預處理工藝處理后的硅酸鈣鎂礦物晶須放入步驟(3)所配制好的鍍液中進行化學鍍錫鎳,施鍍溫度60~100℃,施鍍時間0.5~5小時。
(5)將上述所制得的鍍錫鎳硅酸鈣鎂導電礦物晶須烘干,烘干溫度60~120℃。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





