[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 200910215653.0
• 申請日: 2009-12-30
• 公開（公告）號: CN101807643A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 曹賢敬
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;王春偉

1.一種發光器件，其包括：

第一導電型半導體層；

在所述第一導電型半導體層上的有源層；

在所述有源層和所述第一導電型半導體層的至少一側上以及在所述有 源層上的第二導電型半導體層；

在所述第一導電型半導體層下方的第一電極，和

在所述第二導電型半導體層上的第二電極層，

其中遠離所述有源層的所述第一導電型半導體層的水平寬度大于靠近 所述有源層的所述第一導電型半導體層的水平寬度，

其中所述第二導電型半導體層與所述第一導電型半導體層的側表面直 接接觸。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中形成在所述有源層和所述第一導 電型半導體層的兩個側面上的所述第二導電型半導體層用作所述鈍化層。

3.根據權利要求2所述的發光器件，其中通過形成在所述有源層和所述第 一導電型半導體層的兩個側面上的所述第二導電型半導體層使得所述有 源層和所述第一導電型半導體層的兩個側面沒有暴露出。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第二導電型半導體層覆蓋 所述有源層和所述第一導電型半導體層。

5.根據權利要求2所述的發光器件，其中在所述有源層和所述第一導電 型半導體層的側面上的所述第二導電型半導體層比在所述有源層的頂部 上的所述第二導電型半導體層薄。

6.根據權利要求5所述的發光器件，其中在所述有源層和所述第一導電 型半導體層的側面上的所述第二導電型半導體層的厚度為約或者更 小。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其包括在所述第一導電型半導體層 下方的非導電半導體層。

8.根據權利要求1所述的發光器件，其包括在所述第一導電型半導體層 的兩側處的第一圖案。

9.根據權利要求8所述的發光器件，其中所述第一導電型半導體層也在 所述第一圖案上。

10.根據權利要求1所述的發光器件，其中在所述有源層和所述第一導電 型半導體層的側面上的所述第二導電型半導體層形成為具有用于隔離的 高電阻率。

11.一種發光器件，其包括：

第一導電型半導體層；

在所述第一導電型半導體層上的有源層；

在所述有源層和所述第一導電型半導體層的至少一側上以及在所述有 源層上的第二導電型半導體層；

在所述第二導電型半導體層上的第二電極層；和

在所述第一導電型半導體層下方的第一電極，

其中所述第二導電型半導體層與所述第一導電型半導體層的側表面直 接接觸。

12.根據權利要求11所述的發光器件，其中在所述有源層和所述第一導電 型半導體層的側面上的所述第二導電型半導體層比在所述有源層的頂部 上的所述第二導電型半導體層薄。

13.根據權利要求12所述的發光器件，其中在所述第一導電型半導體層的 側面上的所述第二導電型半導體層不導致耗盡。

14.根據權利要求11所述的發光器件，其中所述第二電極層包括歐姆接觸 層、反射層、耦合層和第二襯底中的至少一個或者更多個。

15.根據權利要求11所述的發光器件，其包括在所述第一導電型半導體層 下的表面粗糙結構。

16.根據權利要求11所述的發光器件，其中所述第二導電型半導體層在所 述有源層的頂部和側面上以及在所述第一導電型半導體層的側面上。

17.根據權利要求11所述的發光器件，其中遠離所述有源層的所述第一導 電型半導體層的表面的水平寬度大于靠近所述有源層的所述第一導電型 半導體層的表面的水平寬度。

18.根據權利要求11所述的發光器件，其包括在所述第一導電型半導體層 下方的非導電半導體層。