[發明專利]具有高維持電壓的SCR ESD保護結構

無效

• 申請號: 200910212765.0
• 申請日: 2009-11-09
• 公開（公告）號: CN101764151A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發明（設計）人: 易揚波;楊東林;祝靖;王欽;劉俠
• 申請（專利權）人: 蘇州博創集成電路設計有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06;H01L23/60;H02H9/00
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種具有高維持電壓的靜電放電防護SCR結構，形成于一器件上，所述器件包括：所述P型襯底(50)，在所述P型襯底(50)上設有N型掩埋層(58)，在所述N型掩埋層(58)上設有N型阱(51)，在所述P型襯底(50)上還設有與所述N型阱(51)平行的P型阱(52)，在所述N型阱(51)中設有N+摻雜區(53)和P+摻雜區(54)，所述N+摻雜區(53)和所述P+摻雜區(54)通過接觸孔引出并連接在一起，作為所述器件的陽極，在所述P型阱(52)中設有N+摻雜區(55)和P+摻雜區(56)，所述N+摻雜區(55)和所述P+摻雜區(56)通過接觸孔引出并連接在一起，作為所述器件的陰極，其特征在于：所述的靜電放電防護SCR結構由所述P+摻雜區(54)，所述N型阱(51)，所述N型掩埋層(58)，所述P型阱(52)，和所述N+摻雜區(55)所組成。

2.根據權利要求1所述的具有高維持電壓的靜電放電防護SCR結構，其特征在于，所述的N型掩埋層(58)的濃度要大于所述P型襯底(50)的濃度。

3.根據權利要求1所述的具有高維持電壓的靜電放電防護SCR結構，其特征在于，所述的維持電壓值可以通過調節所述N型掩埋層(58)的濃度來調整。