[發(fā)明專利]形成半導體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910212368.3
• 申請日: 2005-10-21
• 公開（公告）號: CN101740382A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發(fā)明（設計）人: R·卡爾塔;L·貝萊莫;L·梅林
• 申請（專利權）人: 硅尼克斯科技公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/28;H01L21/60;H01L21/336
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1.一種形成半導體器件的方法，該方法依次包括下列步驟：

在碳化硅襯底的頂面上上形成正電極；

在所述襯底的頂面上上形成鈍化層，該鈍化層延伸到所述正電極的外周 邊邊緣上面，并且以這種方式包圍所述正電極的外周邊邊緣；以及

在所述正電極的頂面區(qū)域上形成可焊接觸點，該可焊接觸點的側面距離 所述鈍化層相鄰的側面一定距離，從而形成所述鈍化層與所述可焊接觸點之 間的間隙；

其中所述形成可焊接觸點進一步包括以下步驟：

在所述器件的頂面上應用可焊接頂層金屬，以及

對所述可焊接頂層金屬進行刻蝕以形成所述可焊接觸點，所述可焊接觸 點與所述鈍化層之間具有所述間隙。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述可焊接觸點包括銀。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述可焊接觸點為含銀三金屬堆。

4.根據權利要求2所述的方法，該方法還包括將所述可焊接觸點通過 焊接附加到器件封裝的夾片/帶或引線架。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述間隙在焊料回流時將焊料容 納在所述可焊接觸點的區(qū)域內。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述間隙在焊料回流時防止所述 焊料延伸至端子區(qū)。

7.根據權利要求4所述的方法，其中當焊料應用于可焊接觸點并回流 時，焊料覆蓋可焊接觸點的整個外露表面，從而溶解所述外露表面上露出的 銀而形成焊料合金。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述銀被完全捕獲在所述焊料合 金內，以減少銀離子電遷移。

9.根據權利要求7所述的方法，其中所述銀被完全捕獲在所述焊料合 金內，以減少所述鈍化層上樹枝晶的形成。

10.根據權利要求7所述的方法，該方法還包括在所述鈍化層上形成第 二鈍化層，所述可焊接觸點的側面距離所述第二鈍化層相鄰的側面一定距離 以在所述第二鈍化層與所述可接觸焊點之間形成間隙。

11.根據權利要求10所述的方法，其中：

所述鈍化層是非晶硅；以及

所述第二鈍化層是聚酰亞胺、磷酸鹽玻璃氧化物或氮化硅。

12.一種形成半導體器件的方法，該方法依次包括下列步驟：

在碳化硅襯底的頂面上形成正電極；

在所述襯底的頂面上形成鈍化層，該鈍化層延伸到所述正電極的外周邊 邊緣上面，并且以這種方式包圍所述正電極的外周邊邊緣；

在所述正電極的頂面上形成含銀可焊接觸點，其中所述可焊接觸點的側 面距離所述鈍化層相鄰的側面一定距離，從而形成所述鈍化層與所述可焊接 觸點之間的間隙；

其中所述形成可焊接觸點進一步包括以下步驟：

在所述器件的頂面上應用可焊接頂層金屬；以及

對所述可焊接頂層金屬進行蝕刻以形成所述可焊接觸點，所述可焊 接觸點與所述鈍化層之間具有所述間隙。

13.根據權利要求12所述的方法，該方法還包括回流焊料將所述可焊 接觸點通過焊接附加到器件封裝的夾片/帶或引線架。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述間隙在焊料回流時將所述 焊料容納在所述可焊接觸點的區(qū)域內。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述間隙在焊料回流時防止所 述焊料延伸至端子區(qū)。

16.根據權利要求13所述的方法，其中所述間隙暴露所述可焊接觸點 的整個頂面和側面，以防止所述鈍化層隱蔽所述可焊接觸點的任何頂面和側 面。

17.根據權利要求13所述的方法，其中當焊料應用于所述可焊接觸點 并回流時，焊料覆蓋所述可焊接觸點的整個外露表面，從而溶解所述外露表 面上露出的銀而形成焊料合金。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述銀被完全捕獲在所述焊料 合金內，以減少銀離子電遷移。

19.根據權利要求17所述的方法，其中所述銀被完全捕獲在所述焊料 合金內，以減少在所述鈍化層上樹枝晶的形成。