[發(fā)明專利]基片拋光方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910211501.3
• 申請日: 2003-12-26
• 公開（公告）號: CN101693354A
• 公開（公告）日: 2010-04-14
• 發(fā)明（設計）人: 戶川哲二;渡邊俊雄;矢野博之;豐田現(xiàn);巖出健次;豎山佳邦
• 申請（專利權）人: 株式會社荏原制作所;株式會社東芝
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B49/14;B24B55/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 蔡勝利

1.一種基片拋光方法，用于拋光基片(W)，包括：

提供用于保持所述基片的基片保持機構(221)、具有拋光面(201)的拋光臺(200)、用于將拋光液供應到所述拋光面上的拋光液供應嘴(202)、用于被氣體從中流經(jīng)的氣體流道(232)、用于控制氣體在所述氣體流道中的流速的開度可調(diào)型定流量控制閥(235)；

拋光所述基片，其中將要被拋光的所述基片被所述基片保持機構保持并推壓，從而所述基片被推壓在所述拋光臺(200)的拋光面(201)上，在拋光液被供應到所述拋光面(201)上的同時，基片(W)與所述拋光面(201)相對運動，從而利用所述相對運動將基片拋光；

其中，通過調(diào)節(jié)所述開度可調(diào)型定流量控制閥(235)的開度來控制氣體在所述氣體流道(232)中的流速，以便在拋光時連續(xù)地將所述氣體直接供應到所述基片上，從而在所述基片的拋光過程中，所述基片的溫度被維持在從40℃至65℃的范圍內(nèi)。

2.根據(jù)權利要求1所述的基片拋光方法，其特征在于，在所述基片的拋光過程中，所述拋光臺的拋光面的溫度也被維持在從40℃至65℃的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的基片拋光方法，其特征在于，所述拋光臺的拋光面和所述基片保持機構的基片保持部分被來自室溫氣體供應裝置的室溫氣體或來自低溫氣體供應裝置的低溫氣體冷卻。

4.根據(jù)權利要求3所述的基片拋光方法，其特征在于，通過冷卻位于拋光臺相對于基片運動的那一側的拋光臺拋光面部分的附近區(qū)域，來實現(xiàn)對所述拋光臺的拋光面的冷卻。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的基片拋光方法，其特征在于，低溫氣體被從低溫氣體供應裝置供應到被拋光的基片的反面，以冷卻所述基片。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的基片拋光方法，其特征在于，所述將要被拋光的基片是下述類型的基片，其具有形成在基層上的布線材料薄膜，并且包括形成在基層中的凹槽，所述基片被拋光，以僅留下所述凹槽中的布線材料，而去除其它布線材料。