[發明專利]對臨界尺寸(CD)掃描電鏡的CD提取進行建模

有效

• 申請號: 200910211301.8
• 申請日: 2009-10-30
• 公開（公告）號: CN101877016A
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發明（設計）人: 張喬林
• 申請（專利權）人: 新思科技有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種在光刻工藝模型校準期間用于對臨界尺寸(CD)掃描電鏡(CD-SEM)提取進行建模的方法，所述方法包括：

接收通過使用CD-SEM提取處理獲得的測量CD值，其中所述CD-SEM提取處理通過根據多個電子束掃描測量特征的多個CD值來確定用于所述特征的測量CD值；

確定仿真CD值，其中仿真CD值是至少基于一組CD提取切割線確定的；以及

在光刻工藝模型校準期間，至少基于所述測量CD值和所述仿真CD值來對光刻工藝的一個方面進行建模的參數進行擬合。

2.根據權利要求1所述的方法，其中確定所述仿真CD值包括：

將測量窗口布置成包圍目標特征；

至少基于布置間隔參數，將所述一組CD提取切割線布置在所述測量窗口內，其中所述布置間隔參數對所述CD-SEM提取處理中的所述多個電子束掃描之間的間隔進行建模；

針對所述一組CD提取切割線，提取一組單個切割線CD值；以及

使用所述一組單個切割線CD值來確定所述仿真CD值。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述擬合的參數包括所述布置間隔參數。

4.根據權利要求1所述的方法，其中在布置所述測量窗口之前，所述方法還包括通過將所述特征與光刻工藝模型進行卷積來獲得所述仿真圖案。

5.根據權利要求1所述的方法，其中使用所述一組單個切割線CD值來確定所述仿真CD值包括計算所述一組單個切割線CD值的平均值。

6.根據權利要求1所述的方法，其中擬合所述參數包括迭代地進行以下操作：

至少基于更新的光刻工藝模型來更新所述仿真CD值；以及

至少基于所述更新的仿真CD值與所述測量CD值之間的差異來更新所述參數的值。

7.根據權利要求1所述的方法，其中擬合所述參數包括使所述仿真CD值與所述測量CD值之間的差異達到最小。

8.一種在光刻工藝模型校準期間用于對臨界尺寸(CD)掃描電鏡(CD-SEM)提取進行建模的設備，所述設備包括：

用于接收通過使用CD-SEM提取處理獲得的測量CD值的裝置，其中所述CD-SEM提取處理通過根據多個電子束掃描測量特征的多個CD值來確定用于所述特征的測量CD值；

用于確定仿真CD值的裝置，其中仿真CD值是至少基于一組CD提取切割線確定的；以及

用于在光刻工藝模型校準期間，至少基于所述測量CD值和所述仿真CD值來對所述光刻工藝的一個方面進行建模的參數進行擬合的裝置。

9.根據權利要求8所述的設備，其中用于確定所述仿真CD值的裝置包括：

用于將測量窗口布置成包圍目標特征的裝置；

用于至少基于布置間隔參數，將所述一組CD提取切割線布置在所述測量窗口內的裝置，其中所述布置間隔參數對所述CD-SEM提取處理中的所述多個電子束掃描之間的間隔進行建模；

用于針對所述一組CD提取切割線來提取一組單個切割線CD值的裝置；以及

用于使用所述一組單個切割線CD值來確定所述仿真CD值的裝置。

10.根據權利要求9所述的設備，其中所述擬合的參數包括所述布置間隔參數。

11.根據權利要求8所述的設備，其中所述設備還包括用于在布置所述測量窗口之前，通過將所述特征與光刻工藝模型進行卷積來獲得所述仿真圖案的裝置。

12.根據權利要求8所述的設備，其中用于使用所述一組單個切割線CD值來確定所述仿真CD值的裝置包括用于計算所述一組單個切割線CD值的平均值的裝置。

13.根據權利要求8所述的設備，其中用于擬合所述參數的裝置包括用于迭代地進行以下操作的裝置：

至少基于更新的光刻工藝模型來更新所述仿真CD值；以及

至少基于所述更新的仿真CD值與所述測量CD值之間的差異來更新所述參數的值。

14.根據權利要求8所述的設備，其中用于擬合所述參數的裝置包括用于使所述仿真CD值與所述測量CD值之間的差異達到最小的裝置。