[發(fā)明專利]一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910210879.1
• 申請日: 2009-11-12
• 公開（公告）號: CN101696779A
• 公開（公告）日: 2010-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉薇
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞勤上光電股份有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V19/00;F21V29/00;H01L23/36;H01L33/00;F21Y101/02
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED照明裝置，具體為一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈。

背景技術(shù)

對于大功率LED器件而言，盡可能減少傳熱回路中的熱沉數(shù)量是降低熱阻的一個重要途徑，即芯片直接封裝在金屬散熱器上。然而，由于LED芯片與金屬材料之間熱膨脹系數(shù)的不匹配，兩者受熱后會產(chǎn)生熱錯配應(yīng)力，會導(dǎo)致LED器件發(fā)光失效或者導(dǎo)熱效果減弱等不良后果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，具有新型的結(jié)構(gòu)，降低熱錯配應(yīng)力，而又不大幅增加熱沉厚度。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為：

一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，包括金屬基座和封裝在金屬基座上的了的LED芯片以及金屬導(dǎo)線、封裝膠體，金屬基座與LED芯片之間設(shè)有用于緩沖LED芯片與金屬基座之間的熱錯配應(yīng)力的熱沉緩沖層。

所述熱沉緩沖層為電鍍設(shè)置于金屬基座上的FeNi合金層。

所述FeNi合金層厚度為2-5微米。

LED芯片與熱沉緩沖層采用共晶焊接的方式連接。

FeNi合金層含有36％的Ni。

金屬基座1選擇導(dǎo)熱性能較好的銅材料。

本發(fā)明的有益效果在于：設(shè)置了FeNi合金層作為熱沉緩沖層，降低熱錯配應(yīng)力，而又不大幅增加熱沉厚度，特別是FeNi合金層含有36％的Ni，的選擇，選用含有36％的Ni的這一合金，效果最佳的。這種成分比的合金，稱之為因瓦合金，也稱為殷鋼，其熱膨脹系數(shù)很低，趨近于零。另外是結(jié)合共晶焊工藝，更加有效降低熱錯配應(yīng)力，保證大功率LED燈的功效和使用壽命。

附圖說明

圖1、本發(fā)明一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示的一種有效降低封裝熱阻大功率LED燈，包括金屬基座1和封裝在金屬基座1上的了的LED芯片2以及金屬導(dǎo)線4、封裝膠體5，金屬基座1與LED芯片2之間設(shè)有用于緩沖LED芯片與金屬基座之間的熱錯配應(yīng)力的熱沉緩沖層3。

所述熱沉緩沖層3為電鍍設(shè)置于金屬基座1上的FeNi合金層。

所述FeNi合金層厚度為2-5微米。

FeNi合金層含有36％的Ni。

LED芯片2與熱沉緩沖層3采用共晶焊接的方式連接。

金屬基座1選擇導(dǎo)熱性能較好的銅材料。

本發(fā)明不僅局限于上述最佳實(shí)施方式，任何人在本發(fā)明的啟示下都可得出其他各種形式的產(chǎn)品，但不論在其形狀或結(jié)構(gòu)上作任何變化，凡是具有與本發(fā)明相同或相近似的技術(shù)方案，均在其保護(hù)范圍之內(nèi)。