[發明專利]金剛石單晶同質內延修復以及同質外延生長的方法

無效

• 申請號: 200910210558.1
• 申請日: 2009-11-10
• 公開（公告）號: CN101696515A
• 公開（公告）日: 2010-04-21
• 發明（設計）人: 宋建華
• 申請（專利權）人: 宋建華
• 主分類號: C30B29/04
• 分類號: C30B29/04;C30B25/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金剛石單晶同質內延修復以及同質外延生長的方法，其特征在于所述方法包括：

采用金剛石沉積設備，以金剛石單晶為晶種，于700～2000℃的溫度下進行氣相沉積的內延修復和外延生長。

2.根據權利要求1所述的金剛石單晶同質內延修復以及同質外延生長的方法，其特征在于所述金剛石沉積設備采用直流噴射等離子設備，或者微波等離子設備，或者熱絲等離子設備。

3.根據權利要求1所述的金剛石單晶同質內延修復以及同質外延生長的方法，其特征在于所述金剛石于金剛石沉積設備內的沉積時間為1～30小時，該金剛石沉積設備于金剛石生長期的真空度為10～5000Pa。

4.根據權利要求3所述的金剛石單晶同質內延修復以及同質外延生長的方法，其特征在于所述金剛石沉積設備內的氬氣載體流量為1～40升/分鐘，氫氣載體流量：1～50升/分鐘，含碳基團載體流量為1-1000毫升/分鐘。

5.根據權利要求4所述的金剛石單晶同質內延修復以及同質外延生長的方法，其特征在于所述含碳基團載體包括甲烷、乙烷、液化氣、乙醇或者甲醇。

6.根據權利要求1所述的金剛石單晶同質內延修復以及同質外延生長的方法，其特征在于所述金剛石單晶的襯底材料包括金屬鉬，鎢，或者硅，石英。

7.根據權利要求1所述的金剛石單晶同質內延修復以及同質外延生長的方法，其特征在于所述晶種包括天然金剛石單晶、高溫高壓人造金剛石單晶、或者化學氣相沉積金剛石單晶。

8.根據權利要求1所述的金剛石單晶同質內延修復以及同質外延生長的方法，其特征在于所述晶種的直徑為0.5～20毫米，重量為0.05～15克拉。