[發(fā)明專利]閃存的存取裝置及其存取方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910210322.8
• 申請日: 2009-10-30
• 公開（公告）號: CN102054521A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林火元;陳振順
• 申請（專利權(quán)）人: 技嘉科技股份有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G06F1/16
• 代理公司: 北京挺立專利事務(wù)所 11265
• 代理人: 葉樹明

1.一種閃存存取裝置，其特征在于包括：

一內(nèi)存控制器；

一第一開放式與非門閃存介面(Open?NAND?Flash?Interface，ONFI)，耦接所述內(nèi)存控制器，用來連接一主要閃存模塊；以及

一擴(kuò)充閃存模塊，耦接所述內(nèi)存控制器及所述第一開放式與非門閃存介面；

其中，所述內(nèi)存控制器偵測所述第一開放式與非門閃存介面所連接的所述主要閃存模塊及所述擴(kuò)充閃存模塊為單面或是雙面來獲得一偵測結(jié)果，并依據(jù)所述偵測結(jié)果來設(shè)定所述擴(kuò)充閃存模塊及所述主要閃存模塊的存取方式。

2.按照權(quán)利要求1所述的閃存存取裝置，其特征在于當(dāng)所述內(nèi)存控制器偵測所述主要閃存模塊及所述擴(kuò)充閃存模塊均為單面時，所述內(nèi)存控制器連結(jié)所述主要閃存模塊及所述擴(kuò)充閃存模塊成為一雙信道閃存模塊。

3.按照權(quán)利要求1所述的閃存存取裝置，其特征在于當(dāng)所述內(nèi)存控制器偵測所述主要閃存模塊及所述擴(kuò)充閃存模塊均為雙面時，所述內(nèi)存控制器設(shè)定所述擴(kuò)充閃存模塊及所述主要閃存模塊的其中之一為一工作內(nèi)存，并設(shè)定所述擴(kuò)充閃存模塊及所述主要閃存模塊的另一為一備用內(nèi)存。

4.按照權(quán)利要求3所述的閃存存取裝置，其特征在于所述內(nèi)存控制器更禁能所述備用內(nèi)存的存取。

5.按照權(quán)利要求3所述的閃存存取裝置，其特征在于所述內(nèi)存控制器更包括偵測所述工作內(nèi)存的讀取或?qū)懭氲恼Ｅc否。

6.按照權(quán)利要求3所述的閃存存取裝置，其特征在于當(dāng)所述內(nèi)存控制器偵測所述工作內(nèi)存的讀取或?qū)懭氩徽r，所述內(nèi)存控制器禁能所述主要內(nèi)存的存取，并切換所述備用內(nèi)存為所述主要內(nèi)存。

7.按照權(quán)利要求1所述的閃存存取裝置，其特征在于更包括：

一擴(kuò)充閃存介面，耦接所述內(nèi)存控制器及所述第一開放式與非門閃存介面，用來連接所述擴(kuò)充閃存模塊。

8.按照權(quán)利要求7所述的閃存存取裝置，其特征在于所述內(nèi)存控制器、所述第一開放式與非門閃存介面及所述擴(kuò)充閃存介面配置在一主機(jī)板上，且所述擴(kuò)充閃存接口為一第二開放式與非門閃存介面。

9.按照權(quán)利要求1所述的閃存存取裝置，其特征在于所述擴(kuò)充閃存模塊直接配置在一主機(jī)板上，且所述內(nèi)存控制器以及所述第一與非門閃存介面配置在所述主機(jī)板上。

10.一種閃存存取方法，其特征在于包括：

提供一第一開放式與非門閃存介面(Open?NAND?Flash?Interface，ONFI)以連接一主要閃存模塊；

提供一擴(kuò)充閃存模塊；

偵測所述第一開放式與非門閃存介面所連接的所述主要閃存模塊及所述擴(kuò)充閃存模塊為單面或是雙面來獲得一偵測結(jié)果；以及

依據(jù)所述偵測結(jié)果來設(shè)定所述擴(kuò)充閃存模塊及所述主要閃存模塊的存取方式。

11.按照權(quán)利要求10所述的閃存存取方法，其特征在于所述偵測結(jié)果包括：

所述主要閃存模塊及所述擴(kuò)充閃存模塊均為單面或所述主要閃存模塊及所述擴(kuò)充閃存模塊均為雙面。

12.按照權(quán)利要求11所述的閃存存取方法，其特征在于“依據(jù)所述偵測結(jié)果來設(shè)定所述擴(kuò)充閃存模塊及所述主要閃存模塊的存取方式”的步驟包括：

當(dāng)所述偵測結(jié)果為所述主要閃存模塊及所述擴(kuò)充閃存模塊均為單面時，所述內(nèi)存控制器連結(jié)所述主要閃存模塊及所述擴(kuò)充閃存模塊成為一雙信道閃存模塊。

13.按照權(quán)利要求12所述的閃存存取方法，其特征在于“依據(jù)所述偵測結(jié)果來設(shè)定所述擴(kuò)充閃存模塊及所述主要閃存模塊的存取方式”的步驟更包括：

當(dāng)所述偵測結(jié)果為所述主要閃存模塊及所述擴(kuò)充閃存模塊均為雙面時，所述內(nèi)存控制器設(shè)定所述擴(kuò)充閃存模塊及所述主要閃存模塊的其中之一為一工作內(nèi)存，并設(shè)定所述擴(kuò)充閃存模塊及所述主要閃存模塊的另一為一備用內(nèi)存。

14.按照權(quán)利要求13所述的閃存存取方法，其特征在于更包括：

偵測所述工作內(nèi)存的讀取或?qū)懭氲恼Ｅc否。

15.按照權(quán)利要求14所述的閃存存取方法，其特征在于更包括：

當(dāng)所述內(nèi)存控制器偵測所述工作內(nèi)存的讀取或?qū)懭氩徽r，所述內(nèi)存控制器禁能所述主要內(nèi)存的存取，并切換所述備用內(nèi)存為所述主要內(nèi)存。

16.按照權(quán)利要求10所述的閃存存取方法，其特征在于更包括：

提供一擴(kuò)充閃存介面來連接所述擴(kuò)充閃存模塊。