[發明專利]外延基片處理方法

無效

• 申請號: 200910209355.0
• 申請日: 2009-11-04
• 公開（公告）號: CN102054665A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 張元;孟慶麗
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/302;H01L21/31;H01L21/311
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種外延片處理方法，其特征在于，包括：

提供外延片，所述外延片包括上表面和下表面，所述外延片的下表面形成有晶點；

在所述外延片的上表面形成保護層；

去除所述外延片下表面的晶點；

去除所述保護層。

2.如權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，所述外延片為采用HCl工藝在底面帶有氧化層的半導體襯底的部分表面增加一外延層而形成的。

3.如權利要求2所述的外延片處理方法，其特征在于，所述晶點是在外延片進行HCl工藝時產生的。

4.如權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，所述保護層是單一覆層結構或者是兩層或者兩層以上堆疊結構。

5.如權利要求4所述的外延片處理方法，其特征在于，所述保護層為形成在所述外延片的上表面的單一光刻膠層。

6.如權利要求4所述的外延片處理方法，其特征在于，所述保護層結構包括形成在所述外延片的上表面的氧化層和形成在氧化層表面的光刻膠層。

7.如權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，所述保護層厚度為500納米至5微米。

8.如權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，去除所述晶點的具體工藝為：將所述形成有保護層的外延片放置于一平臺表面，所述外延片的下表面朝上，采用刀片沿順時針方向刮除晶點。

9.如權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，去除所述晶點的具體工藝為：將所述形成有保護層的外延片放置于一平臺表面，所述外延片的下表面朝上，采用研磨設備去除晶點。

10.如權利要求1所述的外延片處理方法，其特征在于，去除保護層的具體工藝為：腔體壓力為50毫托至100毫托，射頻功率為300瓦至500瓦，O₂流量為每分鐘50標準立方厘米至每分鐘250標準立方厘米，N₂流量為每分鐘20標準立方厘米至每分鐘40標準立方厘米，CO流量為每分鐘50標準立方厘米至每分鐘90標準立方厘米。