[發(fā)明專利]一種薄膜封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910209246.9
• 申請(qǐng)日: 2009-10-27
• 公開（公告）號(hào): CN101697343A
• 公開（公告）日: 2010-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李豐;蘇文明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州納科顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L21/312;H01L21/314;H01L23/31;H01L23/29;H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒

1.一種薄膜封裝方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

(1)將待封裝器件置于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中，設(shè)置掩膜板以控制封裝的區(qū)域，遮蔽無需封裝的區(qū)域；

(2)調(diào)整通入等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中的氣體，利用有機(jī)硅前驅(qū)體，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，交替沉積聚合物層和無機(jī)層；

(3)重復(fù)步驟(2)2～20次；

所述步驟(2)中，在相鄰的無機(jī)層和聚合物層之間設(shè)置過渡層，設(shè)置過渡層的方法具體包括以下步驟：調(diào)整等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中氣體，利用有機(jī)硅前驅(qū)體，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，使氮或/和氧的分壓占等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中氣體總壓的比例大于零且小于三分之二，等離子條件下沉積過渡層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜封裝方法，其特征在于，所述沉積聚合物的方法包括以下步驟：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，在無氧無氮?dú)夥罩校入x子條件下沉積聚合物層；

所述沉積無機(jī)層的方法包括以下步驟：調(diào)整等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中氣體，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，在富氮或/和富氧氣氛中，等離子條件下沉積無機(jī)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜封裝方法，其特征在于，步驟(2)中，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，交替沉積聚合物和無機(jī)層的時(shí)候，所述等離子體的密度介于10¹¹～10¹²/cm³，所述等離子體的電子溫度為2～7eV。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜封裝方法，其特征在于：所述富氮或/和富氧氣氛指氮或/和氧的分壓占整個(gè)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中體系總壓的三分之二以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜封裝方法，其特征在于，每一所述聚合物層厚度為5nm～2μm；聚合物主要成分是有機(jī)硅交連體，結(jié)構(gòu)單元為：(-CH₂-SiH₂-CH₂-SiH₂-)；每一所述無機(jī)層的厚度為5nm～2μm；當(dāng)?shù)入x子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中為富氧氣氛時(shí)，無機(jī)層的主要成分為SiO_x薄膜；當(dāng)?shù)入x子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中為富氮?dú)夥諘r(shí)，無機(jī)層的主要成分為SiN_x薄膜；當(dāng)?shù)入x子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中為富氧和富氮共存氣氛時(shí)，無機(jī)層的主要成分為SiO_xN_y薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜封裝方法，其特征在于：從聚合物層過渡到無機(jī)層時(shí)，沉積過渡層的過程中，氮或/和氧的分壓占等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中氣體總壓的比例從零逐漸增加到三分之二；從無機(jī)層層過渡到聚合物時(shí)，沉積過渡層的過程中，氮或/和氧的分壓占等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中氣體總壓的比例從三分之二逐漸降低到零。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜封裝方法，其特征在于：過渡層為有機(jī)無機(jī)雜化交連體薄膜，當(dāng)?shù)入x子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中含氧不含氮時(shí)，所述有機(jī)無機(jī)雜化交連體為Py(SiO_x)_1-y；當(dāng)?shù)入x子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中含有氮而不含氧時(shí)，所述有機(jī)無機(jī)雜化交連體為Py(SiN_x)_1-y；當(dāng)?shù)入x子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置中氮氧共存時(shí)，所述有機(jī)無機(jī)雜化交連體為Py(SiO_x)_z(SiN_x)_1-y-z；其中P表示聚合物有機(jī)硅交連體，結(jié)構(gòu)單元為：(-CH₂-SiH₂-CH₂-SiH₂-)，0＜y＜1，0≤z≤1；過渡層的厚度的范圍介于5nm～100nm之間。

8.一種薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜封裝結(jié)構(gòu)由交替設(shè)置的聚合物層和無機(jī)層構(gòu)成，每一所述聚合物層的厚度為5nm～2μm，聚合物層的層數(shù)為2～20；每一所述無機(jī)層的厚度為5nm～2μm，無機(jī)層的層數(shù)為2～20；聚合物主要成分是有機(jī)硅交連體，結(jié)構(gòu)單元為：(-CH₂-SiH₂-CH₂-SiH₂-)；無機(jī)層的主要成分選自SiO_x薄膜、SiN_x薄膜或SiO_xN_y薄膜中的一種；

在相鄰的聚合物層和無機(jī)層之間設(shè)置過渡層，所述過渡層為有機(jī)無機(jī)雜化交連體薄膜，所述有機(jī)無機(jī)雜化交連體選自：Py(SiO_x)_1-y、Py(SiN_x)_1-y或Py(SiO_x)_z(SiN_x)_1-y-z中的一種；其中P表示聚合物有機(jī)硅交連體，結(jié)構(gòu)單元為：(-CH₂-SiH₂-CH₂-SiH₂-)，0＜y＜1，0≤z≤1；過渡層的厚度的范圍介于5nm～100nm之間。