[發明專利]發光二極管裝置及其形成方法

無效

• 申請號: 200910209233.1
• 申請日: 2009-11-02
• 公開（公告）號: CN101997019A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 陳鼎元;邱文智;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/00;H01L21/782
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;邢雪紅

1.一種發光二極管裝置，包括：

一基板；

一發光二極管結構，形成在該基板上，該發光二極管結構具有一下方發光二極管層、一有源層與一第一上方發光二極管層；以及

多個嵌入元件，至少延伸穿過部分該發光二極管結構的該第一上方發光二極管層，所述多個嵌入元件由上方觀看是被該發光二極管結構所圍繞，所述多個嵌入元件的折射系數不同于該第一上方發光二極管層。

2.如權利要求1所述的發光二極管裝置，還包括一第二上方發光二極管層，設置在該第一上方發光二極管層上。

3.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其中所述多個嵌入元件延伸穿過該有源層與下方發光二極管層。

4.如權利要求1所述的發光二極管裝置，其中至少部分的該第一上方發光二極管層是位于所述多個嵌入元件與該有源層之間。

5.如權利要求4所述的發光二極管裝置，其中所述多個嵌入元件包括一導電材料。

6.一種發光二極管裝置，包括：

一基板；以及

一發光二極管結構，位于該基板上，該發光二極管結構具有至少位于一第一導電層中的多個嵌入元件，所述多個嵌入元件的折射系數不同于嵌入所述多個嵌入元件的該發光二極管結構的一薄膜。

7.如權利要求6所述的發光二極管裝置，其中所述多個嵌入元件延伸穿過該發光二極管結構的一有源層。

8.如權利要求6所述的發光二極管裝置，其中所述多個嵌入元件只延伸穿過部分的該第一導電層。

9.如權利要求6所述的發光二極管裝置，其中該發光二極管結構包括一第二導電層，延伸在所述多個嵌入元件上。

10.如權利要求6所述的發光二極管裝置，其中所述多個嵌入元件與該發光二極管結構的一有源層分開。

11.如權利要求6項所述的發光二極管裝置，其中所述多個嵌入元件包括一導電材料。

12.一種形成發光二極管裝置的方法，該方法包括：

提供一基板；

在該基板上形成一發光二極管結構，該發光二極管結構包括一下方發光二極管層、一有源層與一第一上方發光二極管層；以及

形成多個嵌入元件，其由上方觀看是被該發光二極管結構圍繞，所述多個嵌入元件的折射系數不同于該發光二極管結構。

13.如權利要求12所述的形成發光二極管裝置的方法，還包括在該第一上方發光二極管層與所述多個嵌入元件上形成一第二上方發光二極管層。

14.如權利要求12所述的形成發光二極管裝置的方法，其中形成該發光二極管結構的步驟是在形成所述多個嵌入元件的步驟之前進行。

15.如權利要求14所述的形成發光二極管裝置的方法，其中形成所述多個嵌入元件的步驟包括在該發光二極管結構上形成一圖案化掩模，蝕刻該發光二極管結構以形成多個開口，以及以一材料填充所述多個開口。

16.如權利要求15所述的形成發光二極管裝置的方法，其中該蝕刻步驟蝕刻穿過該第一上方發光二極管層、該有源層與至少部分的該下方發光二極管層。

17.如權利要求15所述的形成發光二極管裝置的方法，其中該蝕刻步驟只蝕刻穿過部分的該第一上方發光二極管層。

18.如權利要求17所述的形成發光二極管裝置的方法，其中所述多個嵌入層包括一導電材料。

19.如權利要求15所述的形成發光二極管裝置的方法，其中該蝕刻步驟蝕刻穿過該第一上方發光二極管層到該有源層。

20.如權利要求12所述的形成發光二極管裝置的方法，其中該形成所述多個嵌入元件包括，在該形成該發光二極管結構之前，形成一介電層，并圖案化該介電層以露出部分該基板，其中該形成該發光二極管結構是在所述多個嵌入元件之間露出的基板上進行。