[發明專利]熔絲結構的形成方法無效
| 申請號： | 200910208834.0 | 申請日： | 2009-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN102054765A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發明（設計）人： | 匡金;祝孔維;張明敏;趙志勇 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 結構 形成 方法 | ||
1.一種熔絲結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有熔絲結構；
在所述半導體襯底上形成第一介質層，所述第一介質層覆蓋熔絲結構并具有目標厚度；
在所述第一介質層上形成刻蝕終止層；
在所述刻蝕終止層上形成第二介質層；
對所述第二介質層進行選擇性刻蝕，在所述熔絲結構上方形成開口，所述開口底部露出刻蝕終止層。
2.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述目標厚度為2000至
3.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述第二介質層的材料選自氧化硅、有機硅酸鹽玻璃或硼硅玻璃。
4.根據權利要求3所述的熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述刻蝕終止層的材料與第二介質層的材料不同。
5.根據權利要求4所述的熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述刻蝕終止層的材料選自氮氧化硅、氮化硅或富硅氧化物。
6.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述刻蝕終止層的厚度為300至
7.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述選擇性刻蝕為干法刻蝕，刻蝕氣體為C4F8、O2、CO和Ar的混合氣體。
8.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法，其特征在于，在形成刻蝕終止層之后、形成第二介質層之前還包括：對所述刻蝕終止層進行刻蝕，去除所述熔絲結構區域之外的刻蝕終止層。
9.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述熔絲結構為多晶硅熔絲或金屬熔絲。
10.根據權利要求1所述的熔絲結構的形成方法，其特征在于，所述第二介質層為多層結構，第二介質層內形成有通孔或互連結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
