[發明專利]電壓檢測電路、方法及電子系統有效
| 申請號: | 200910208530.4 | 申請日: | 2009-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN102053198A | 公開(公告)日: | 2011-05-11 |
| 發明(設計)人: | 湯小虎;薛衛東;李巖 | 申請(專利權)人: | 凹凸電子(武漢)有限公司 |
| 主分類號: | G01R19/165 | 分類號: | G01R19/165;G01R31/40 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;武玉琴 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 檢測 電路 方法 電子 系統 | ||
1.一種電壓檢測電路,用于檢測輸入電壓,其特征在于,所述電壓檢測電路包括:
電壓-電流轉換器,用于產生根據所述輸入電壓而變化的監測電流;及
耦合于所述電壓-電流轉換器的電流比較器,用于比較所述監測電流和閾值電流的大小,并根據所述比較的結果產生表示所述輸入電壓的狀態的檢測信號,其中,所述閥值電流與所述電壓檢測電路的溫度成比例。
2.根據權利要求1所述的電壓檢測電路,其特征在于,所述電壓檢測電路還包括:
耦合于所述電壓-電流轉換器的電壓感應電路,用于提供第一帶隙電壓,并根據所述第一帶隙電壓和所述輸入電壓產生表示所述輸入電壓的感應信號,其中,所述電壓-電流轉換器根據所述感應信號產生所述監測電流。
3.根據權利要求1所述的電壓檢測電路,其特征在于,所述電壓檢測電路還包括金屬氧化物半導體場效應晶體管,其中,所述金屬氧化物半導體場效應晶體管工作在亞閾值區以產生所述閾值電流。
4.根據權利要求1所述的電壓檢測電路,其特征在于,所述電壓檢測電路還包括:
耦合于所述電流比較器的電流生成器,用于產生所述閾值電流,其中,所述電流生成器根據所述閾值電流決定所述監測電流的最大值。
5.根據權利要求1所述的電壓檢測電路,其特征在于,所述電壓-電流轉換器提供第二帶隙電壓,并根據所述第二帶隙電壓設置電壓閥值,當所述監測電流等于所述閾值電流時,所述輸入電壓等于所述電壓閾值。
6.根據權利要求5所述的電壓檢測電路,其特征在于,所述第二帶隙電壓根據所述輸入電壓的狀態而變化。
7.根據權利要求5所述的電壓檢測電路,其特征在于,所述第二帶隙電壓具有從至少第一電壓值和第二電壓值中選擇的電壓值,其中,如果所述輸入電壓大于所述電壓閾值,所述第二帶隙電壓具有所述第一電壓值;以及如果所述輸入電壓小于所述電壓閾值,所述第二帶隙電壓具有所述第二電壓值。
8.根據權利要求5所述的電壓檢測電路,其特征在于,根據所述電壓閾值調節所述監測電流。
9.根據權利要求5所述的電壓檢測電路,其特征在于,所述閾值電流具有從至少第一電流值和第二電流值中選擇的電流值,其中,如果所述輸入電壓大于所述電壓閾值,所述閾值電流具有所述第一電流值;以及如果所述輸入電壓小于所述電壓閾值,所述閾值電流具有所述第二電流值。
10.根據權利要求1所述的電壓檢測電路,其特征在于,所述閾值電流根據所述輸入電壓的狀態而變化。
11.一種電壓檢測方法,用于檢測輸入電壓,其特征在于,所述電壓檢測方法包括:
產生根據所述輸入電壓而變化的監測電流;
比較所述監測電流和與溫度成比例的閾值電流的大小;及
根據所述比較的結果產生表示所述輸入電壓的狀態的檢測信號。
12.根據權利要求11所述的電壓檢測方法,其特征在于,產生所述監測電流的步驟還包括:
根據第一帶隙電壓和所述輸入電壓產生表示所述輸入電壓的感應信號;及
根據所述感應信號產生所述監測電流。
13.根據權利要求11所述的電壓檢測方法,其特征在于,所述電壓檢測方法還包括:
提供第二帶隙電壓;及
根據所述第二帶隙電壓設置所述電壓閾值,其中,當所述監測電流等于所述閾值電流時,所述輸入電壓等于所述電壓閾值。
14.根據權利要求13所述的電壓檢測方法,其特征在于,所述電壓檢測方法還包括:
如果所述輸入電壓大于所述電壓閾值,將所述第二帶隙電壓設置為第一電壓值;及
如果所述輸入電壓小于所述電壓閾值,將所述第二帶隙電壓設置為第二電壓值。
15.根據權利要求13所述的電壓檢測方法,其特征在于,所述電壓檢測方法還包括:
根據所述電壓閾值調節所述監測電流。
16.根據權利要求11所述的電壓檢測方法,其特征在于,所述電壓檢測方法還包括:
如果所述輸入電壓大于所述電壓閾值,將所述閾值電流設置為第一電流值;及
如果所述輸入電壓小于所述電壓閾值,將所述閾值電流設置為第二電流值。
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