[發明專利]用于確定光刻掩模的可制造性的方法和系統

無效

• 申請號: 200910208363.3
• 申請日: 2009-11-12
• 公開（公告）號: CN101750880A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 井上忠宣;D·O·梅爾威爾;牟田英正;田克漢;阪本正治;A·E·羅森布盧特
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 于靜;楊曉光

1.一種用于確定在制造半導體器件樣品時所采用的光刻掩模的可制造性的方法，其包括：

從所述光刻掩模的掩模版圖數據中選擇多個目標邊緣對，所述多個目標邊緣對用于確定在形成所述光刻掩模時的制造懲罰，所述掩模版圖數據包括多個多邊形，每一個多邊形具有多個邊緣，并且每一個目標邊緣對由一個或多個所述多邊形中的兩個邊緣限定；

確定所述光刻掩模的所述可制造性，包括確定在形成所述掩模時的所述制造懲罰，其中基于所選擇的目標邊緣對確定所述制造懲罰，并且其中確定所述光刻掩模的所述可制造性包括使用在連續尺度上表征所述光刻掩模的所述可制造性的連續導數；以及

輸出所述光刻掩模的所述可制造性，其中所述光刻掩模的所述可制造性依賴于在形成所述光刻掩模時的所述制造懲罰。

2.根據權利要求1的方法，其中使用在連續尺度上表征所述光刻掩模的所述可制造性的連續導數包括使用代表在形成所述光刻掩模時的所述制造懲罰的平滑變化的評估函數。

3.根據權利要求1的方法，其中所述“確定所述光刻掩模的所述可制造性，包括確定在形成所述掩模時的所述制造懲罰”包括：

對于具有屬于同一多邊形且彼此至少基本平行的第一邊緣和第二邊緣的選定目標邊緣對，

確定由所述選定目標邊緣對產生的制造形狀懲罰，所述制造形狀懲罰與在制造所述光刻掩模時發生的由同一多邊形的形狀引起的懲罰有關。

4.根據權利要求3的方法，其中確定所述制造形狀懲罰包括評估：

P_shape＝P_{gap_size}×P_{jog_stair}×P_{aspect_ratio_i_a}×P_{aspect_ratio_j_a}×P_overlap

其中P_shape表示所述制造形狀懲罰，P_{gap_size}表示由所述第一和第二邊緣之間的間隙的尺寸而引起的制造懲罰，P_{jog_stair}表示制造懲罰歸因于由所述第一和第二邊緣限定的割階形狀還是階梯形狀，P_{aspect_ratio_i_a}表示由被表示為i的所述第一邊緣相對于兩個邊緣i和j之間的間隙的尺寸的縱橫比引起的制造懲罰，P_{aspect_ratio_j_a}表示由表示被為j的所述第二邊緣相對于兩個邊緣i和j之間的間隙的尺寸的縱橫比引起的制造懲罰，以及P_overlap表示由所述第一和第二邊緣之間的重疊程度引起的制造懲罰，

其中P_shape、P_{gap_size}、P_{jog_stair}、P_{aspect_ratio_i_a}、P_{aspect_ratio_j_a}和P_overlap是平滑變化的連續函數，其與非平滑變化的不連續函數不同。

5.根據權利要求3的方法，其中確定所述制造形狀懲罰包括評估表示制造懲罰歸因于由所述第一和第二邊緣限定的割階形狀還是階梯形狀的平滑變化的連續函數，

其中所述第一邊緣由兩個第一起始坐標和兩個第一終止坐標限定，且所述第二邊緣由兩個第二起始坐標和兩個第二終止坐標限定，

其中，如果與邊緣之間的間隙的尺寸相比，兩個邊緣較長，并且所述第一邊緣的方向與所述第二邊緣對方向相反，則發生所述割階形狀，以及

其中，如果與邊緣之間的間隙的尺寸相比，兩個邊緣較短，并且所述第一邊緣的方向與所述第二邊緣對方向相反，則發生翼狀割階形狀，以及

其中，如果所述第一邊緣的方向與所述第二邊緣對方向相同，則發生所述階梯形狀。

6.根據權利要求1的方法，其中所述“確定所述光刻掩模的所述可制造性，包括確定在形成所述掩模時的所述制造懲罰”包括：

對于具有屬于第一多邊形的第一邊緣和屬于與所述第一多邊形不同的第二多邊形的第二邊緣且所述第一和第二邊緣彼此至少基本平行的選定目標邊緣對，

確定由所述選定目標邊緣對產生的制造間隙懲罰，所述制造間隙懲罰與在制造所述光刻掩模時發生的由所述第一和第二多邊形之間的間隙引起的懲罰有關。