[發明專利]閃存器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200910207980.1
• 申請日: 2009-11-04
• 公開（公告）號: CN101740578A
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 樸真河
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 鄭小軍;陳昌柏

1.一種閃存器件，包括：

形成在設置有器件隔離膜的半導體襯底中的溝槽；

形成在包括所述溝槽的所述半導體襯底上的氧化物膜；

插入至所述氧化物膜內并形成在所述溝槽的側壁處的氮化物膜圖案；以及

形成在包括所述氮化物膜圖案的所述氧化物膜上的多晶硅圖案。

2.根據權利要求1所述的閃存器件，其中所述氮化物膜圖案形成為與所述溝槽的側壁平行并與所述溝槽的底部垂直。

3.根據權利要求1所述的閃存器件，其中所述多晶硅圖案形成在所述溝槽的底部和轉角區域上，以覆蓋所述氮化物膜圖案。

4.根據權利要求1所述的閃存器件，還包括：

形成在所述溝槽的底部上的第一雜質區，位于所述半導體襯底上的所述多晶硅圖案的一側；以及

形成在所述半導體襯底上的第二雜質區，位于所述多晶硅圖案的另一側。

5.一種制造閃存器件的方法，包括如下步驟：

在設置有器件隔離膜的半導體襯底中形成溝槽；

在包括所述溝槽的所述半導體襯底上形成氧化物膜，所述氧化物膜包括氮化物膜圖案；以及

在包括所述氮化物膜圖案的所述氧化物膜上形成多晶硅圖案；

其中所述氮化物膜圖案插入至所述氧化物膜內并形成在所述溝槽的側壁處。

6.根據權利要求5所述的方法，其中在包括所述溝槽的所述半導體襯底上形成氧化物膜的步驟包括：

在包括所述溝槽的所述半導體襯底上形成第一氧化物膜；

在設置有所述第一氧化物膜的所述溝槽的側壁處形成所述氮化物膜圖案，并在包括所述氮化物膜圖案的所述半導體襯底上形成第二氧化物膜；

通過部分地去除形成在所述溝槽的底部以及所述半導體襯底上的所述第一氧化物膜和所述第二氧化物膜，在所述氮化物膜圖案與所述半導體襯底之間的接觸表面以及所述氮化物膜圖案的一側形成氧化物膜圖案；以及

在包括所述氧化物膜圖案的所述半導體襯底上形成第三氧化物膜，以形成插入有所述氮化物膜圖案的氧化物膜。

7.根據權利要求6所述的方法，其中當所述氮化物膜圖案形成在設置有所述第一氧化物膜的所述溝槽的側壁處時，所述第一氧化物膜形成在所述溝槽的側壁與所述氮化物膜圖案之間。

8.根據權利要求6所述的方法，其中在所述第一氧化物膜上形成氮化物膜之后，通過各向異性蝕刻工藝在所述溝槽的側壁處、在所述第一氧化物膜上形成所述氮化物膜圖案。

9.根據權利要求5所述的方法，其中所述氮化物膜圖案形成為與所述溝槽的側壁平行并與所述溝槽的底部垂直。

10.根據權利要求5所述的方法，其中所述多晶硅圖案形成在所述溝槽的底部和轉角區域上，以覆蓋所述氮化物膜圖案。