[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及顯示裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910207679.0 | 申請日： | 2003-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN101694847A | 公開（公告）日： | 2010-04-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高藤裕;糸賀隆志 | 申請（專利權(quán)）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L27/146;H01L27/148;H01L21/84;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 顯示裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在絕緣基板上不同的區(qū)域分別形成非單晶硅薄膜構(gòu)成的非單晶硅薄膜設(shè)備，以及單晶硅薄膜構(gòu)成的單晶硅薄膜設(shè)備，作為所述非單晶硅薄膜使用連續(xù)晶界硅。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述單晶硅薄膜設(shè)備通過無機的絕緣膜結(jié)合在上述絕緣基板上。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述非單晶硅薄膜設(shè)備以及上述單晶硅薄膜設(shè)備都為MOS型或者MIS型的薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述MOS型的薄膜晶體管的非單晶硅薄膜的膜厚為600nm以下。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述MOS型的薄膜晶體管的單晶硅薄膜的膜厚為100nm以下。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述MOS型的單晶硅薄膜晶體管的金屬配線圖案包括，通過相比于MOS型的單晶硅薄膜晶體管的柵極圖案以較寬松的配線形成規(guī)則形成的部分。
7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述非單晶硅薄膜設(shè)備為MOS型或者MIS型的非單晶硅薄膜晶體管，
上述單晶硅薄膜設(shè)備包括MOS型以及雙極型中任何一方，或者兩方的單晶硅薄膜晶體管。
8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
上述非單晶硅薄膜設(shè)備為MOS型或者MIS型的非單晶硅薄膜晶體管，
上述單晶硅薄膜設(shè)備具有，MOS型單晶硅薄膜晶體管，以及含有肖特基型或PN結(jié)型的二極管的圖像傳感器或者CCD型圖像傳感器。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述單晶硅構(gòu)成的MOS型薄膜晶體管的單晶硅薄膜，比雙極型薄膜晶體管的單晶硅薄膜膜厚要小。
10.如權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述雙極型單晶硅薄膜晶體管為基極、集電極以及發(fā)射極區(qū)域形成并設(shè)置在同一平面上的平面構(gòu)造。
11.如權(quán)利要求7～9中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述雙極型單晶硅薄膜晶體管的金屬配線、接觸圖案包括，通過相比于雙極型的單晶硅薄膜晶體管的基極圖案以較寬松的配線形成規(guī)則形成的部分。
12.如權(quán)利要求7～9中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述雙極型單晶硅薄膜晶體管的單晶硅薄膜的膜厚為800nm以下。
13.如權(quán)利要求3～9中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述非單晶硅薄膜構(gòu)成的MOS型薄膜晶體管從基板側(cè)開始按照非單晶硅、柵極絕緣膜、柵極的順序而形成。
14.如權(quán)利要求3～9中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述非單晶硅薄膜構(gòu)成的MOS型薄膜晶體管從基板側(cè)開始按照柵極、柵極絕緣膜、非單晶硅的順序而形成。
15.如權(quán)利要求3～9中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述非單晶硅薄膜為非晶硅薄膜，上述非晶硅薄膜構(gòu)成的MOS型或MIS型薄膜晶體管從基板側(cè)開始按照柵極、柵極絕緣膜、非單晶硅的順序而形成。
16.如權(quán)利要求3～9中任一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述非單晶硅薄膜為非晶硅薄膜，上述非晶硅薄膜構(gòu)成的MOS型或MIS型薄膜晶體管從基板側(cè)開始按照非單晶硅、柵極絕緣膜、柵極的順序而形成。
17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成上述單晶硅薄膜設(shè)備的單晶硅與上述絕緣基板的線膨脹的差，在室溫到600℃的溫度范圍內(nèi)為250ppm以下。
18.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述絕緣基板至少在形成上述單晶硅薄膜設(shè)備的區(qū)域的表面上，為形成有SiO2膜的堿土類-鋁硼硅酸玻璃構(gòu)成的高應(yīng)變點玻璃。
19.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，上述絕緣基板由鋇硼硅酸玻璃、鋇鋁硼硅酸玻璃、堿土類-鋁硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、堿土類-鋅-鉛-鋁硼硅酸玻璃以及堿土類-鋅-鋁硼硅酸玻璃中任何一種的玻璃而形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
