[發明專利]圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200910205713.0
• 申請日: 2009-07-03
• 公開（公告）號: CN101667547A
• 公開（公告）日: 2010-03-10
• 發明（設計）人: 樸炳俊;金相熙
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/82;H01L27/146;H01L23/12;H04N5/335
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張 波

1.一種制造互補金屬氧化物半導體圖像傳感器的方法，該方法包括：

形成基板結構，該基板結構包括第一基板、第二基板以及在所述第一基板與所述第二基板之間的氧化層和含氮的指數匹配層；

在所述第二基板中形成至少一個感光器件；

在形成所述基板結構之后，在所述第二基板的第一表面上形成金屬互連結構，所述第一表面朝向遠離所述第一基板，使得所述至少一個感光器件在所述金屬互連結構與所述指數匹配層和所述氧化層之間，所述金屬互連結構電連接到所述至少一個感光器件。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述氧化層通過熱氧化所述第二基板的面對所述第一表面的第二表面而形成，并且所述氧化層形成在所述指數匹配層和所述第二基板之間。

3.如權利要求2所述的方法，還包括在所述第二基板中形成淺注入層，使得所述淺注入層在所述第二基板的主體和所述氧化層之間。

4.如權利要求3所述的方法，其中形成所述淺注入層包括將p型摻雜劑的離子注入到所述第二基板中并熱激活被注入的離子。

5.如權利要求2所述的方法，其中所述指數匹配層由氮化硅層形成，并且形成所述基板結構還包括在所述氮化硅層上形成接合氧化層，該接合氧化層與所述第一基板接觸。

6.如權利要求5所述的方法，形成所述基板結構還包括，在將所述第一基板和所述第二基板接合在一起之后且在形成所述至少一個感光器件之前，去除所述第二基板的一部分以使所述第二基板減薄約50％或更多。

7.如權利要求5所述的方法，形成所述基板結構還包括：

在將所述第一基板和所述第二基板接合在一起之前，在所述第二基板中離所述氧化層預定距離處形成微腔層，

將所述第一基板和所述第二基板接合在一起，

去除所述第二基板的一部分到所述微腔層的深度。

8.如權利要求7所述的方法，還包括，在去除所述第二基板的一部分到所述微腔層的深度之后，在所述第二基板上形成外延層，其中所述至少一個感光器件在形成所述外延層之后形成。

9.如權利要求7所述的方法，形成所述基板結構還包括在形成所述氧化層和所述微腔層之后，在所述第二基板中形成淺注入層，所述淺注入層在所述氧化層和所述微腔層之間形成。

10.如權利要求2所述的方法，其中所述指數匹配層由氮化硅層形成。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述氧化層和所述指數匹配層形成抗反射層。

12.如權利要求2所述的方法，還包括：

在所述第二基板中形成相鄰的感光器件；以及

在所述相鄰的感光器件之間形成隔離層，所述隔離層形成為從所述第二基板的所述第一表面延伸到足夠的深度以阻止每個所述相鄰的感光器件之間的光學串擾。

13.如權利要求1所述的方法，還包括，在形成所述金屬互連結構之后，將所述第一基板的厚度減少約50％或更多。

14.如權利要求13所述的方法，形成所述基板結構包括在所述第一基板和所述指數匹配層之間形成蝕刻終止層。

15.如權利要求13所述的方法，還包括在形成金屬互連結構之后且在將所述第一基板的厚度減少約50％或更多之前，將第三基板接合到所述第二基板的所述第一表面。

16.一種互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，包括：

基板，在該基板的第二表面處具有熱氧化層；

在所述基板中的至少一個感光器件；以及

在所述基板的第一表面上的金屬互連結構，所述第一表面與所述第二表面相反，使得所述至少一個感光器件在所述金屬互連結構和所述熱氧化層之間，所述金屬互連結構電連接到所述至少一個感光器件。

17.如權利要求16所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，還包括在所述熱氧化層上的含氮的指數匹配層，其中所述熱氧化層與所述基板的所述第二表面鄰接，使得所述熱氧化層在所述指數匹配層與所述至少一個感光器件之間。

18.如權利要求17所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，其中所述指數匹配層為氮化硅層，所述熱氧化層在所述氮化硅層和所述至少一個感光器件之間。