[發(fā)明專利]檢測非易失性存儲單元的閾值電壓位移的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200910205712.6
• 申請日: 2009-07-09
• 公開（公告）號: CN101673580A
• 公開（公告）日: 2010-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃相元
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/10;G11C16/26;G11C29/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 邵亞麗

1.一種操作非易失性存儲裝置的方法，包括：

使用從與特定溫度范圍相關(guān)的理想校驗(yàn)電壓Vv得出的校驗(yàn)電壓電平， 在存儲裝置中編程采樣數(shù)據(jù)用于校驗(yàn)；

使用與所述溫度范圍相關(guān)的所述校驗(yàn)電壓Vv執(zhí)行對所述采樣數(shù)據(jù)的讀 取校驗(yàn)操作；和

基于所述讀取校驗(yàn)操作的結(jié)果來確定溫度補(bǔ)償參數(shù)Nc，

其中，編程所述采樣數(shù)據(jù)包括在對應(yīng)Vv到Vv-(N-1)Vd的N個(gè)間隔編程 所述采樣數(shù)據(jù)，其中Vd對應(yīng)于每單位溫度在用于編程的采樣數(shù)據(jù)的閾值電 壓Vth中的位移，并且

其中，確定所述溫度補(bǔ)償參數(shù)Nc包括基于在對所述采樣數(shù)據(jù)執(zhí)行所述 讀取校驗(yàn)操作時(shí)通過和失敗的所述N個(gè)間隔的數(shù)量來確定所述溫度補(bǔ)償參數(shù) Nc。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

使用溫度補(bǔ)償電壓Vtemp＝Vorg+Nc*Vd作為所述非易失性存儲裝置中的 編程電壓、讀取電壓、和/或校驗(yàn)電壓，其中Vorg是沒有與將被編程、讀取、 和/或校驗(yàn)的數(shù)據(jù)相關(guān)的溫度補(bǔ)償?shù)碾妷骸?

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述存儲裝置包括閃存，所述方法進(jìn) 一步包括：

使用多個(gè)所述溫度補(bǔ)償電壓Vtemp編程閃存中的目標(biāo)頁。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述存儲裝置包括閃存，所述方法進(jìn) 一步包括：

使用多個(gè)所述溫度補(bǔ)償電壓Vtemp讀取閃存中的目標(biāo)頁。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲裝置包括閃存，所述方法進(jìn) 一步包括：

讀取所述閃存中的目標(biāo)頁；

確定所述目標(biāo)頁中的誤差是否可校正；和

其中當(dāng)所述目標(biāo)頁中的誤差不可校正時(shí)，執(zhí)行編程所述采樣數(shù)據(jù)，執(zhí)行 對所述采樣數(shù)據(jù)的所述讀取校驗(yàn)操作，以及確定所述溫度補(bǔ)償參數(shù)。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲裝置包括閃存。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述閃存包括NAND、NOR、或 One_NAND型閃存。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲裝置體現(xiàn)為存儲卡裝置、固 態(tài)驅(qū)動(SSD)裝置、ATA總線裝置、串行ATA(SATA)總線裝置、小型計(jì)算機(jī) 系統(tǒng)接口(SCSI)裝置、串行附屬SCSI(SAS)裝置、多媒體卡(MMC)裝置、安 全數(shù)字(SD)裝置、記憶棒裝置、硬盤驅(qū)動(HDD)裝置、混合硬盤驅(qū)動(HHD) 裝置、或通用串行總線(USB)閃存驅(qū)動裝置。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲裝置體現(xiàn)為圖形卡、計(jì)算機(jī)、 移動終端、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、照相機(jī)、游戲控制臺、MP3播放器、電視 機(jī)、DVD播放器、路由器、或GPS系統(tǒng)。

10.一種操作非易失性存儲系統(tǒng)的方法，包括：

從主機(jī)發(fā)送采樣頁讀取指令到存儲裝置；

使用從與特定溫度范圍相關(guān)的理想校驗(yàn)電壓Vv得出的校驗(yàn)電壓電平， 在所述存儲裝置中編程采樣數(shù)據(jù)用于校驗(yàn)；

使用與所述存儲裝置中所述溫度范圍相關(guān)的所述校驗(yàn)電壓Vv對所述采 樣數(shù)據(jù)執(zhí)行讀取校驗(yàn)操作；

將所述讀取校驗(yàn)操作的結(jié)果提供給所述主機(jī)；和

在所述主機(jī)基于所述讀取校驗(yàn)操作的結(jié)果來確定溫度補(bǔ)償參數(shù)Nc，

其中，編程所述采樣數(shù)據(jù)包括在對應(yīng)Vv到Vv-(N-1)Vd的N個(gè)間隔編程 所述采樣數(shù)據(jù)，其中Vd對應(yīng)于每單位溫度在用于編程的采樣數(shù)據(jù)的閾值電 壓Vth中的位移，并且

其中，確定所述溫度補(bǔ)償參數(shù)Nc包括基于在對所述采樣數(shù)據(jù)執(zhí)行所述 讀取校驗(yàn)操作時(shí)通過和失敗的所述N個(gè)間隔的數(shù)量來確定所述溫度補(bǔ)償參數(shù) Nc。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括：

從所述主機(jī)通知所述存儲裝置至少一個(gè)溫度補(bǔ)償電壓 Vtemp＝Vorg+Nc*Vd以用作非易失性存儲裝置中的編程電壓、讀取電壓、和/ 或校驗(yàn)電壓，其中Vorg是沒有與將被編程、讀取、和/或校驗(yàn)的數(shù)據(jù)相關(guān)的溫 度補(bǔ)償?shù)碾妷骸?