[發明專利]在高于75千兆赫茲的頻率上進行料位測量的高頻模塊

有效

• 申請號: 200910205429.3
• 申請日: 2009-10-23
• 公開（公告）號: CN101726342A
• 公開（公告）日: 2010-06-09
• 發明（設計）人: 丹尼爾·舒爾特海斯;米夏埃爾·菲舍爾
• 申請（專利權）人: VEGA格里沙貝兩合公司
• 主分類號: G01F23/284
• 分類號: G01F23/284
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 杜誠;陳煒

1.一種用于在高于75GHz的頻率上進行料位測量的高頻模塊，所 述高頻模塊包括：

至少一個微波半導體(301)；

印刷電路板(302)；

所述高頻模塊的導電的外殼(701、702、703、704、705)，該外殼(701、 702、703、704、705)導電地接合到所述印刷電路板(302)；

其中所述微波半導體(301)被置于所述印刷電路板(302)上；

其中所述高頻模塊以脈沖工作方式向所述微波半導體(301)提供電 壓。

2.根據權利要求1所述的高頻模塊，其中

利用鋅壓鑄方法制造所述外殼(701、702、703、704、705)。

3.根據權利要求1所述的高頻模塊，其中

利用塑料注塑方法制造所述外殼(701、702、703、704、705)并對 其進行金屬化。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的高頻模塊，其中

所述外殼(701、702、703、704、705)包括集成的隔離單元(706) 以屏蔽電磁輻射，該隔離單元(706)也由金屬制成。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的高頻模塊，其中

所述外殼(701、702、703、704、705)包括隔離單元(706)以屏蔽 電磁輻射，該隔離單元(706)包含衰減材料。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的高頻模塊，其中

在脈沖工作中，在接通過程中，先向所述微波半導體(301)提供負 供電電壓然后提供正供電電壓；以及

在關斷過程中，先關斷所述正供電電壓然后關斷所述負供電電壓。

7.根據權利要求1至3中任一項所述的高頻模塊，其中

所述微波半導體(301)直接接合到所述印刷電路板(302)。

8.根據權利要求1至3中任一項所述的高頻模塊，還包括：

設置于所述微波半導體(301)和所述印刷電路板(302)之間的金屬 化層(303)。

9.根據權利要求1至3中任一項所述的高頻模塊，還包括：

所述印刷電路板(302)上的至少一個信號線(304)，該信號線(304) 連接到所述微波半導體(301)。

10.根據權利要求1至3中任一項所述的高頻模塊，其中

所述印刷電路板為多層印刷電路板。

11.根據權利要求1至3中任一項所述的高頻模塊，其中

所述高頻模塊由用于料位測量的雷達傳感器使用。

12.具有根據前述權利要求中的任何一個權利要求所述的高頻模塊的 料位雷達。

13.一種對具有根據權利要求1到11中的任何一個權利要求所述的 高頻模塊的料位傳感器進行操作的方法，所述方法包括以下步驟：

以脈沖工作方式向所述微波半導體(301)提供電壓。

14.根據權利要求13所述的方法，還包括以下步驟：

先向所述微波半導體(301)提供負供電電壓，然后提供正供電電壓， 以便在脈沖工作周期中接通所述微波半導體；以及

先關斷所述正供電電壓，然后關斷所述負供電電壓，以便在所述脈沖 工作周期中關斷所述微波半導體。