[發明專利]彈性波濾波器無效
| 申請號: | 200910205422.1 | 申請日: | 2009-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN101729040A | 公開(公告)日: | 2010-06-09 |
| 發明(設計)人: | 津田忠秋 | 申請(專利權)人: | 日本電波工業株式會社 |
| 主分類號: | H03H9/64 | 分類號: | H03H9/64;H03H9/145 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彈性 濾波器 | ||
技術領域
本發明涉及彈性波濾波器,例如SAW(Surface?Acoustic?Wave:聲 表面波)濾波器。
背景技術
SAW器件是利用彈性表面波的器件,在壓電基板上配置稱為IDT (inter?digital?transducer:叉指式換能器)的電極指,進行電信號與彈 性波之間的電-機械相互變換,具有頻率選擇(帶通濾波器)特性。 SAW器件之一的SAW濾波器作為高功能化、小型化的各種通信設備 例如移動電話機等的帶通濾波器使用,伴隨著近年來的無線數據通信 的高速化和大容量化,要求具有插入損失(輸出電力相對于輸入電力 的衰減量)小、且頻率選擇性出色的濾波器特性,而且要求寬頻帶、 平坦、小型。為了滿足這樣的要求,例如錐型(taper)IDT濾波器是 有利的。
圖18表示作為一般的結構的錐型IDT濾波器的濾波器100。濾波 器100具備在壓電基板101上形成的作為錐型的電極的輸入側錐型IDT 電極102和輸出側錐型IDT電極103,從輸入側錐型IDT電極102一 側向輸出側錐型IDT電極103一側傳輸彈性波。在這些電極102、103 之間,設置有用于抑制電極102、103之間的耦合的屏蔽件104,該屏 蔽件104構成為矩形的面狀金屬膜(所謂的整面膜)。另外,錐型IDT 電極也有被稱為傾斜型編帶狀電極、SFIT或傾斜型電極等。
各個電極102、103包括具有多個電極指106的2條平行的匯流條 105,在各個電極102、103中,與匯流條105連接的電極指106相互 相對,另外,電極指106例如每2條為1組,相互不同地延伸,成為 梳齒形,由此構成SPLIT電極。
在各個電極102、103中,將電極指106形成為:相對于彈性波的 傳輸方向電極指106的寬度尺寸一定,另外,電極指106、106之間的 間隔尺寸也一定。由該電極指106的寬度和電極指106、106之間的間 隔構成的排列圖形被設計成重復某長度的周期單位λidt。在本例子中, 由4條電極指106和該電極指106之間的間隔區域構成一個周期單位 λidt,在該濾波器100中,與周期單位λidt為相同長度的波長的彈性波 從輸入側錐形IDT電極102向輸出側錐型IDT電極103傳輸。而且設 計成:相對于彈性波的傳輸方向,在從一個匯流條105朝向另一個匯 流排105的正交的方向,該周期單位λidt的長度逐漸變寬,即電極指 106的寬度以及電極指106、106之間的間隔分別逐漸變寬。另外,關 于IDT電極的結構,由于在實施方式中詳細敘述,因此在這里沒有詳 細記載,關于附圖,為了方便也簡略地表示,將電極指106的寬度以 及電極指106、106之間的寬度表示為一定。
通過這樣將電極指106的排列圖形逐漸展寬而構成錐型IDT,在 該濾波器100中,能夠傳輸從與周期單位λidt狹窄的區域對應的高頻 至與周期單位λidt寬的區域對應的低頻的彈性波。通過采用這樣的結 構,能夠實現濾波器100的寬帶化。
但是,強烈希望實現選擇性更出色的SAW濾波器,當前正在研究 實現從通帶到阻帶的頻率區域中的濾波器特性的陡峭化的各種方法。 特別是,在這種SAW濾波器100中,由于存在與低頻側(低頻帶側) 的衰減量相比,高頻側(高頻帶側)的衰減特性差這樣的問題,因此 要求進行其改善。
簡單說明衰減特性這樣惡化的原因。如果將形成有與彈性波的波 長對應的周期單位λidt的傳輸路徑稱為軌跡(track),則在SAW濾波 器100的IDT電極102、103中,在形成有電極指106的區域中,在形 成通頻帶的從低頻到高頻的軌跡中具有相同的激振信息。即,在形成 有電極指106的區域中,彈性波的傳輸狀態(傳輸速度)相同。但是, 因為在未形成該電極指106的區域與形成有該電極指106的區域中其 傳輸狀態產生差異,所以例如像圖中L0所表示的那樣,當通過輸入側 錐型IDT電極102的規定的軌跡后的彈性波從輸入側錐型IDT電極102 的輸出側錐型IDT電極103一側的邊緣向該輸出側錐型IDT電極103 發射時,該彈性波發生折射,不射入輸出側錐形IDT電極103的對應 的軌跡,產生能量損失。由于該能量損失,在高頻帶側、低頻帶側的 任一側均發生衰減特性的惡化。
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