[發明專利]電子發射元件及其制造方法、使用電子發射元件的各裝置有效
| 申請號: | 200910204468.1 | 申請日: | 2009-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN101894718A | 公開(公告)日: | 2010-11-24 |
| 發明(設計)人: | 井村康朗;平川弘幸;長岡彩繪;巖松正;平田佳奈子 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01J1/30 | 分類號: | H01J1/30;H01J1/312;H01J63/02;H01J29/04;H01J63/06;G02F1/13357;G02F1/133;H01J31/12;G03G15/00;H01J9/02 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 謝麗娜;關兆輝 |
| 地址: | 日本大阪*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 發射 元件 及其 制造 方法 使用 裝置 | ||
1.一種電子發射元件,具有電極基板和薄膜電極,通過在該電極基板和薄膜電極之間施加電壓而在該電極基板和薄膜電極之間使電子加速,從該薄膜電極發射該電子,其特征在于,
在上述電極基板和上述薄膜電極之間設置有電子加速層,該電子加速層含有絕緣體微粒且不含導電微粒。
2.根據權利要求1所述的電子發射元件,其特征在于,上述絕緣體微粒包含SiO2、Al2O3及TiO2的至少一種、或包含有機聚合物。
3.根據權利要求1或2所述的電子發射元件,其特征在于,上述電子加速層的層厚為絕緣體微粒的平均粒徑以上且為1000nm以下。
4.根據權利要求1或2所述的電子發射元件,其特征在于,上述絕緣體微粒的平均粒徑為7~400nm。
5.根據權利要求1或2所述的電子發射元件,其特征在于,上述絕緣體微粒進行了表面處理。
6.根據權利要求5所述的電子發射元件,其特征在于,上述表面處理是由硅醇或甲硅烷基進行的處理。
7.根據權利要求1或2所述的電子發射元件,其特征在于,上述薄膜電極包含金、銀、碳、鎢、鈦、鋁及鈀的至少一種。
8.一種電子發射裝置,其特征在于,包括:權利要求1或2所述的電子發射元件;和在上述電極基板和上述薄膜電極之間施加電壓的電源部。
9.根據權利要求8所述的電子發射裝置,其特征在于,上述電源部在上述電極基板和上述薄膜電極之間施加直流電壓。
10.一種自發光設備,其特征在于,包括權利要求8所述的電子發射裝置和發光體,從該電子發射裝置發射電子而使該發光體發光。
11.一種圖像顯示裝置,其特征在于,包括權利要求10所述的自發光設備。
12.一種送風裝置,其特征在于,包括權利要求8所述的電子發射裝置,從該電子發射裝置發射電子而進行送風。
13.一種冷卻裝置,其特征在于,包括權利要求8所述的電子發射裝置,從該電子發射裝置發射電子而冷卻被冷卻體。
14.一種帶電裝置,其特征在于,包括權利要求8所述的電子發射裝置,從該電子發射裝置發射電子而使感光體帶電。
15.一種圖像形成裝置,其特征在于,包括權利要求14所述的帶電裝置。
16.一種電子線硬化裝置,其特征在于,包括權利要求8所述的電子發射裝置,從該電子發射裝置發射電子而硬化被硬化物。
17.一種電子發射元件的制造方法,該電子發射元件具有電極基板和薄膜電極,通過在該電極基板和薄膜電極之間施加電壓而在該電極基板和薄膜電極之間使電子加速,從該薄膜電極發射該電子,該電子發射元件的制造方法的特征在于,包括:
電子加速層形成工序,在上述電極基板上形成含有絕緣體微粒且不含導電微粒的電子加速層;和
薄膜電極形成工序,在上述電子加速層上形成上述薄膜電極。
18.根據權利要求17所述的電子發射元件的制造方法,其特征在于,
上述電子加速層形成工序包括:
分散工序,獲得在溶劑中分散有上述絕緣體微粒的分散液;
涂敷工序,在上述電極基板上涂敷上述分散液;和
干燥工序,使上述涂敷的分散液干燥。
19.根據權利要求17所述的電子發射元件的制造方法,其特征在于,在上述電子加速層形成工序后或在上述薄膜電極形成工序后,包括燒結上述電子發射元件的燒結工序。
20.根據權利要求19所述的電子發射元件的制造方法,其特征在于,在上述燒結工序中在上述絕緣體微粒不熔融的條件下進行燒結。
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