[發明專利]同時研磨多個半導體晶片的方法

無效

• 申請號: 200910204416.4
• 申請日: 2008-03-19
• 公開（公告）號: CN101829948A
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: G·皮奇;M·克斯坦;H·a·d·施普林
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司;彼特沃爾特斯有限責任公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;H01L21/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 程大軍

1.一種同時雙側研磨多個半導體晶片的方法，其中每個半導體晶片以自由運動的方式位于通過轉動設備帶動旋轉的多個轉盤之一的挖去部分中，并由此在擺線軌跡上運動，其中，所述半導體晶片在兩個旋轉的環形工作盤之間以去除材料的方式加工，其中每個工作盤包括含有粘合磨料的工作層，其中在加工期間，半導體晶片以其面的一部分暫時離開由工作層界定的工作間隙，其中徑向超出量的最大值為大于0％，且至多為半導體晶片直徑的20％，其中所述超出量定義為在相對于工作盤的徑向測得的長度，通過這個長度，半導體晶片在加工期間在特定點及時地伸出到工作間隙的內邊緣或外邊緣之外。

2.權利要求1的方法，其中當半導體晶片以其面的一部分區域暫時離開工作間隙時，所述半導體晶片逐漸完全地并且通常基本均等地掃過工作層的整個邊緣區域。

3.權利要求1或2的方法，其中所述半導體晶片暫時地經過工作間隙的內邊緣和暫時地經過工作間隙的外邊緣離開工作間隙。