[發明專利]銅導體糊劑、銅導體填充通孔的襯底的制造方法、電路襯底、電子部件、半導體封裝有效
| 申請號： | 200910204039.4 | 申請日： | 2009-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN101930959A | 公開（公告）日： | 2010-12-29 |
| 發明（設計）人： | 林耀廣;黑田浩太郎;豆崎修 | 申請（專利權）人： | 三之星機帶株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L21/48;H01L23/15;H05K1/09;H05K3/40 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 樊衛民;郭國清 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導體 填充 襯底 制造 方法 電路 電子 部件 半導體 封裝 | ||
1.一種通孔填充用銅導體糊劑，其為填充到耐熱性襯底的通孔中并在非氧化性氣氛下進行煅燒的類型，其特征在于，由煅燒引起的體積變化率為8％以下，且煅燒后的銅導體的電阻率為10μΩ·cm以下。
2.如權利要求1所述的通孔填充用銅導體糊劑，其特征在于，至少含有銅粉末、玻璃粉末、有機載體，銅粉末是由10～30質量％的粒徑小于1μm的粉末、和70～90質量％的粒徑為1～50μm的粉末構成的混合粉末，而且振實密度為6.0g/cc以上，且銅導體糊劑中的有機成分含量為8.5質量％以下。
3.如權利要求2所述的通孔填充用銅導體糊劑，其特征在于，銅的所述混合粉末的平均比表面積為0.3～0.6m2/g。
4.如權利要求1～3中任一項所述的通孔填充用銅導體糊劑，其特征在于，相對于銅導體糊劑總量含有0.5～10質量％的氧化銅粉。
5.一種銅導體填充通孔的襯底的制造方法，其特征在于，具有：將權利要求1所述的銅導體糊劑填充到在耐熱性襯底上形成的通孔中的工序、在氧化性氣氛下對填充到通孔中的銅導體糊劑進行加熱而使銅粉末部分氧化的工序、在非活性氣氛下在700℃以上的溫度下對氧化處理過的銅導體糊劑進行煅燒的工序。
6.如權利要求5所述的銅導體填充通孔的襯底的制造方法，其特征在于，對填充到通孔中的銅導體糊劑加熱來進行氧化處理的工序是在溫度200～300℃的加熱條件下來實施。
7.如權利要求5所述的銅導體填充通孔的襯底的制造方法，其特征在于，所述耐熱性襯底為陶瓷制襯底。
8.如權利要求7所述的銅導體填充通孔的襯底的制造方法，其特征在于，所述陶瓷制襯底為氮化鋁襯底。
9.一種銅導體填充通孔的襯底，其特征在于，在耐熱性襯底的通孔中填充有由權利要求1所述的銅導體糊劑的煅燒物構成的銅導體。
10.一種銅導體填充通孔的襯底，其特征在于，通過權利要求5所述的方法制造而成。
11.一種電路襯底，其具備權利要求9所述的銅導體填充通孔的襯底。
12.一種電子部件，其具備權利要求9所述的銅導體填充通孔的襯底。
13.一種半導體封裝，其具備權利要求9所述的銅導體填充通孔的襯底。
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