[發明專利]含燒結接頭的模塊

有效

• 申請號: 200910203413.9
• 申請日: 2009-05-19
• 公開（公告）號: CN101593709A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發明（設計）人: 卡斯滕·古特;伊萬·尼基廷
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/15;H01L25/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 吳貴明;李 慧

1.一種制造模塊的方法，所述方法包括：

將包括金屬顆粒、溶劑和燒結抑制劑的膏體施加于晶粒 上；

使所述膏體中的所述溶劑蒸發；

在非氧化性氣氛中加熱包含金屬層的基板；

將所述晶粒放置于所加熱的金屬層上，使得所述膏體與 所加熱的金屬層接觸；以及

對所述晶粒和所述金屬層中的其中之一施加力以形成將 所述晶粒接合至所述金屬層的燒結接頭，

其中，施加所述力包括在50ms至6000ms范圍內的持續 時間上施加所述力。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中，加熱所述基板包括在150℃至400℃的溫度范圍 內加熱所述基板。

3.根據權利要求1所述的方法，

其中，加熱所述基板包括加熱包含非貴金屬層的基板。

4.根據權利要求1所述的方法，

其中，施加所述力包括施加在1MPa至10MPa范圍內的 力。

5.根據權利要求1所述的方法，

其中，蒸發所述溶劑包括將具有膏體的所述晶粒放置在 真空中。

6.根據權利要求1所述的方法，

其中，蒸發所述溶劑包括在25℃至200℃的溫度范圍內 加熱所述膏體。

7.根據權利要求1所述的方法，

其中，施加所述膏體包括施加包含有Au、Ag和Cu顆粒 中的一種顆粒的膏體。

8.根據權利要求1所述的方法，

其中，施加所述膏體包括施加金屬顆粒分布中至少50％ 的顆粒小于50nm的膏體。

9.根據權利要求1所述的方法，

其中，施加所述膏體包括施加包含這樣一種燒結抑制劑 的膏體，所述燒結抑制劑包含工業蠟。

10.一種制造模塊的方法，所述方法包括：

將包含有金屬顆粒、溶劑和燒結抑制劑的膏體施加至半 導體芯片；

干燥所述膏體以使所述溶劑蒸發；

在非氧化性氣氛中加熱包含金屬表面的基板；

將所述半導體芯片放置在所加熱的金屬表面上，使得所 述膏體與所加熱的金屬表面接觸；以及

對所述半導體芯片施加力以形成將所述半導體芯片接合 至所述金屬表面的燒結接頭，

其中，施加所述力包括在50ms至6000ms范圍內的持續 時間上施加所述力。

11.根據權利要求10所述的方法，

其中，干燥所述膏體包括在真空中在25℃至200℃的溫 度范圍內加熱所述膏體。

12.根據權利要求10所述的方法，

其中，加熱所述基板包括在150℃至400℃的溫度范圍 內加熱所述基板。

13.根據權利要求10所述的方法，

其中，施加所述力包括施加在1MPa至10MPa范圍內的 力。

14.根據權利要求10所述的方法，

其中，施加所述膏體包括印刷所述膏體和散布所述膏體 之一。

15.根據權利要求10所述的方法，

其中，施加所述膏體包括施加包含有Au、Ag和Cu顆粒 中的一種顆粒的膏體。

16.根據權利要求10所述的方法，

其中，施加所述膏體包括施加金屬顆粒分布中至少95％ 的顆粒小于50nm的膏體。

17.根據權利要求10所述的方法，

其中，加熱所述基板包括在索引隧道爐中加熱所述基板。