[發明專利]溝槽MOS器件制備中溝槽的制備方法

無效

• 申請號: 200910201964.1
• 申請日: 2009-12-18
• 公開（公告）號: CN102103996A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 金勤海;叢茂杰;劉麗艷
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張驥

1.一種溝槽MOS器件制備中溝槽的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)先刻蝕出預設溝槽深度的一部分，該部分溝槽深度為預設溝槽深度的十分之一至二分之一，采用刻蝕后使該部分溝槽側壁垂直于水平面的工藝條件；

2)在所刻出的溝槽內壁生長氧化層；

3)而后淀積介質層來填充所刻出的溝槽；

4)回刻所述溝槽內的介質層，至所述硅平面上至少還有100埃厚的介質層，并在所示溝槽側壁形成介質側墻；

5)接著采用使所刻蝕的溝槽側壁傾斜的工藝條件，刻蝕襯底以形成完整的溝槽，同時將步驟四中形成的介質側墻去除，最終形成上段垂直下段傾斜的溝槽形貌。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟一的刻蝕中，采用SF₆、O₂、CF₄作為刻蝕氣體，刻蝕中SF₆的流量設置為80～150毫升/分，O₂的流量設置為90～150毫升/分，CF₄的流量設置為20～50毫升/分)，刻蝕腔內壓力設置為20～50毫托，刻蝕采用雙功率源設備，其中偏置功率設置為125～150瓦，源功率設置為600～900瓦；所述步驟五的刻蝕中的工藝條件為：SF₆的流量設置為50～75毫升/分，O₂的流量設置為90～150毫升/分，CHF₄的流量設置為20～50毫升/分，刻蝕腔內壓力：20～50毫托，刻蝕采用雙功率源設備，其中偏置功率的流量設置為100～120瓦，源功率的流量設置為500～800瓦。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟三中的介質層為氧化硅或氮化硅。