[發(fā)明專利]獲得傾斜溝槽結(jié)構(gòu)或改變溝槽結(jié)構(gòu)傾斜角的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910201869.1
• 申請(qǐng)日: 2009-11-26
• 公開（公告）號(hào): CN102082110A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉繼全
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種獲得傾斜溝槽結(jié)構(gòu)或改變溝槽結(jié)構(gòu)傾斜角的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在硅襯底或硅外延層上沉積第一硬掩膜；

步驟二、在第一硬掩膜上沉積第二硬掩膜；

步驟三、在需要形成溝槽的地方把兩層硬掩膜去除；

步驟四、用干法刻蝕在硅襯底或硅外延層中形成溝槽；

步驟五、用濕法刻蝕對(duì)第一硬掩膜進(jìn)行刻蝕，從所述溝槽口處向兩側(cè)橫向刻蝕掉部分位于硅襯底或硅外延層與第二層硬掩膜之間的第一層硬掩膜；

步驟六、用濕法或干法刻蝕剝離掉所述第二硬掩膜；

步驟七、用鹵化氫氣體對(duì)所述溝槽進(jìn)行再刻蝕，使溝槽側(cè)壁形成一定的傾斜度；

步驟八、用濕法或干法刻蝕去除第一硬掩膜。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟一和步驟二所形成的所述第一硬掩膜和第二硬掩膜為氮化物、氧化物或氮氧化物中的至少一種，且第一硬掩膜和第二硬掩膜不同。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述溝槽的深度為0.1-100.0微米。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟五中所述濕法刻蝕只刻蝕第一硬掩膜，不刻蝕第二硬掩膜；且橫向刻蝕掉第一硬掩膜的長(zhǎng)度為0.01-5.0微米。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟七中所述鹵化氫氣體為氯化氫和氟化氫中的至少一種。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟七中所述鹵化氫氣體刻蝕的溫度為500-1250℃，壓力為0.1托至一個(gè)大氣壓。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟七中所述鹵化氫氣體對(duì)溝槽頂部側(cè)壁的刻蝕厚度為0.01-5.0微米。