[發(fā)明專利]用于光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910201820.6 | 申請日： | 2009-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN101714602A | 公開（公告）日： | 2010-05-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李淼;顏建鋒;周健華;顧拓;郝茂盛 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海藍(lán)光科技有限公司;彩虹集團(tuán)公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 孫大為 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 光電 器件 多量 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種用于光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)，包括n個(gè)依次交疊的量子阱結(jié)構(gòu)，所述光電器件包括N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，其特征在于：靠近N型半導(dǎo)體層的勢壘層厚度大于靠近P型半導(dǎo)體層的勢壘層厚度；所述的n為大于2小于20的整數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的用于光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，靠近N型半導(dǎo)體層的第m個(gè)勢阱層到第n個(gè)勢壘層的厚度逐次變薄，所述的m為大于0小于n的整數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的用于光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，靠近N型半導(dǎo)體層的前m個(gè)量子阱的勢阱層厚度相同，第m+1到第n個(gè)勢壘層的厚度逐次變薄，所述的m為大于0小于n的整數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的用于光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，靠近N型半導(dǎo)體層的前m個(gè)量子阱的勢阱層厚度逐漸變薄，第m+1到第n個(gè)勢壘層的厚度相同，所述的m為大于0小于n的整數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所述的用于光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，靠近N型半導(dǎo)體層的前m個(gè)量子阱的勢阱層厚度相同，第m+1到第n個(gè)勢壘層的厚度相同但比前m個(gè)量子阱的勢阱層厚度薄，所述的m為大于0小于n的整數(shù)。
6.如權(quán)利要求1所述的用于光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，靠近N型半導(dǎo)體層附近勢壘層的厚度為勢壘層為AlxGa1-xIn2N，0≤x＜0.3，0＜z＜0.45；量子阱層為AlyGa1-yInwN，0≤y＜0.3，0＜w＜0.45，其中z＜w。
7.如權(quán)利要求1所述的用于光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，靠近N型半導(dǎo)體層的前2-10個(gè)量子阱結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的勢壘層中含有Si或Ge摻雜元素。
8.如權(quán)利要求1所述的用于光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，靠近N型半導(dǎo)體層的勢壘層中Al的組分小于靠近P型半導(dǎo)體層的勢壘層中Al的組分。
9.如權(quán)利要求1所述的用于光電器件的多量子阱結(jié)構(gòu)，其特征在于，靠近N型半導(dǎo)體層的勢壘層中Al的組分大于靠近P型半導(dǎo)體層的勢壘層中Al的組分。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海藍(lán)光科技有限公司;彩虹集團(tuán)公司，未經(jīng)上海藍(lán)光科技有限公司;彩虹集團(tuán)公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910201820.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
