[發(fā)明專利]多單元射頻晶體管的射頻參數(shù)模擬方法

有效

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• 申請日: 2009-11-12
• 公開（公告）號: CN102063513A
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發(fā)明（設計）人: 周天舒
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王江富

技術領域

本發(fā)明涉及半導體測試技術，特別涉及一種多單元射頻晶體管的射頻參數(shù)模擬方法。

背景技術

在射頻集成電路設計中，由于大電流和高功率的應用要求，有源器件的設計多采用多單元射頻晶體管結構，如圖1所示，多單元射頻晶體管結構其實包括兩部分，一部分是重復并聯(lián)的射頻晶體管單元11，另一部分則是多個射頻晶體管單元之間的相互連線12。為了對多單元射頻晶體管結構進行準確的射頻參數(shù)模擬，傳統(tǒng)方法是預先設計多單元射頻晶體管的版圖結構，然后直接對其進行射頻測試，進行射頻參數(shù)模擬。以上方法有較多缺點，如：多單元射頻晶體管的版圖結構設計不僅需要大量的人力資源，而且無法覆蓋各種不同的高功率射頻集成電路應用。同時，多單元射頻晶體管工作電流很大，其射頻測試也受到現(xiàn)有測試設備的限制。

發(fā)明內容

本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種多單元射頻晶體管的射頻參數(shù)模擬方法，能降低進行射頻參數(shù)模擬的人力資源，能靈活方便地模擬多單元射頻晶體管的射頻參數(shù)。

為解決上述技術問題，本發(fā)明的多單元射頻晶體管的射頻參數(shù)模擬方法，包括以下步驟：

一.設計多單元射頻晶體管總結構中用于重復并聯(lián)的各單個射頻晶體管單元的版圖結構，并對各單個射頻晶體管單元的版圖結構進行射頻測試，得到各單個射頻晶體管單元的版圖結構的射頻參數(shù)；

二.將多單元射頻晶體管多個射頻晶體管單元之間的相互連線結構的版圖文件調入電磁仿真軟件，同時在電磁仿真軟件中定義和多單元射頻晶體管結構生產工藝完全匹配的金屬和介質層參數(shù)，然后對多個射頻晶體管單元之間的相互連線結構進行電磁仿真得到多個射頻晶體管單元之間的相互連線結構的射頻參數(shù)；

三.將所述多個射頻晶體管單元之間的相互連線結構的射頻參數(shù)同所有各單個射頻晶體管單元的版圖結構的射頻參數(shù)進行射頻參數(shù)的疊加得到多單元射頻晶體管總結構的射頻參數(shù)。

本發(fā)明的多單元射頻晶體管的射頻參數(shù)模擬方法，先分別設計多單元射頻晶體管結構用于重復并聯(lián)的各單個射頻晶體管單元的版圖結構，并對各單個射頻晶體管單元的版圖結構進行射頻測試，得到各單個射頻晶體管單元的版圖結構的射頻參數(shù)，采用磁仿真軟件對多單元射頻晶體管之間的相互連線結構進行高精度的電磁仿真，從而得到相互連線結構準確的射頻參數(shù)，在此基礎上，運用射頻參數(shù)疊加的算法，得到所測的多單元射頻晶體管總結構的射頻參數(shù)。由于進行各單個射頻晶體管單元的版圖結構設計需要的人力資源遠小于進行多單元射頻晶體管總版圖結構設計需要的人力資源，節(jié)省了傳統(tǒng)做法中大量的版圖工作，所以能大大降低進行版圖結構設計的人力資源，從而能降低進行射頻參數(shù)模擬的人力資源，另一方面也較大地提高了多單元射頻晶體管建模的靈活度，能靈活方便地模擬多單元射頻晶體管的射頻參數(shù)。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步的詳細說明。

圖1是多單元射頻晶體管結構示意圖；

圖2是本發(fā)明的多單元射頻晶體管的射頻參數(shù)模擬方法一實施方式流程圖。

具體實施方式

在射頻集成電路設計中采用的多單元射頻晶體管結構如圖1所示，多單元射頻晶體管結構主要包括兩部分，一部分是重復并聯(lián)的多個射頻晶體管單元11，另一部分則是多個射頻晶體管單元之間的相互連線12。

本發(fā)明的多單元射頻晶體管的射頻參數(shù)模擬方法一實施方式如圖2所示，包括以下步驟：

一.先設計多單元射頻晶體管總結構中用于重復并聯(lián)的各單個射頻晶體管單元的版圖結構，并對各單個射頻晶體管單元的版圖結構進行射頻測試，得到各單個射頻晶體管單元的版圖結構的射頻參數(shù)S_singlecell_i(i＝1，…，m，m為重復并聯(lián)的多個射頻晶體管單元數(shù)量)；根據(jù)微波基礎理論，可推出重復并聯(lián)的多個射頻晶體管單元的集總的射頻參數(shù)S_multicell，即S_multicell＝S_singlecell_1+S_singlecell_2+…+S_singlecell_m。

二.將多單元射頻晶體管多個射頻晶體管單元之間的相互連線結構的版圖文件調入電磁仿真軟件(如：HFSS，Momentum等)，同時在電磁仿真軟件中定義和多單元射頻晶體管結構生產工藝完全匹配的金屬和介質層參數(shù)，然后對多個射頻晶體管單元之間的相互連線結構進行電磁仿真得到多個射頻晶體管單元之間的相互連線結構準確的射頻參數(shù)S_interconnection；