[發(fā)明專利]寬深溝槽介質(zhì)填充的制作工藝方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910201731.1 | 申請日： | 2009-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN102054737A | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 肖勝安 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 深溝 介質(zhì) 填充 制作 工藝 方法 | ||
1.一種寬深溝槽介質(zhì)填充的制作方法，其特征在于：包括如下步驟，
步驟一、在硅片上依次生長一層底層氧化膜、氮化硅膜和頂層氧化膜；
步驟二、在頂層氧化膜上涂光刻膠，通過光刻定義出多個等間距的溝槽或多個硅單元；
步驟三、通過刻蝕將曝出的頂層氧化膜去除，然后再去除光刻膠；
步驟四、利用頂層氧化膜的圖形作為掩膜，刻蝕氮化硅膜、底層氧化膜和硅片得到所需的多個溝槽或多個硅單元；
步驟五、利用熱氧化將所述多個溝槽或多個硅單元的側(cè)墻全部氧化，形成氧化硅側(cè)墻；
步驟六、去除頂層氧化膜、氮化硅膜；
步驟七、利用CVD淀積需要的介質(zhì)膜，并將溝槽填滿；
步驟八、利用反刻或化學(xué)機械研磨將硅片表面的介質(zhì)膜去除，并去除硅片表面的氧化膜，最終得到填滿介質(zhì)膜的既寬又深的溝槽。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述介質(zhì)膜是氧化膜，摻硼/磷的氧化膜，摻磷的氧化膜，氮氧化膜，氮化膜，低K值的介質(zhì)或它們的組合。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：在步驟八中介質(zhì)膜淀積完成后，得到的介質(zhì)膜中間沒有空洞，或者有空洞。
4.一種寬深溝槽介質(zhì)填充的制作方法，其特征在于：包括如下步驟，
步驟一、在硅片上依次生長一層氧化膜和氮化硅膜；
步驟二、在氮化硅膜上涂光刻膠，利用光刻形成光刻膠圖形；
步驟三、利用光刻膠圖形做掩膜，刻蝕氮化硅膜、氧化膜和硅片得到所需的多個溝槽或多個硅單元；
步驟四、去除光刻膠；
步驟五、利用熱氧化將所述多個溝槽或多個硅單元的側(cè)墻全部氧化，形成氧化硅側(cè)墻；
步驟六、去除氮化硅膜；
步驟七、利用CVD淀積需要的介質(zhì)膜，并將溝槽填滿；
步驟八、利用反刻或化學(xué)機械研磨將硅片表面的介質(zhì)膜去除，并去除硅片表面的氧化膜，最終得到填滿介質(zhì)膜的既寬又深的溝槽。
5.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述介質(zhì)膜是氧化膜，摻硼/磷的氧化膜，摻磷的氧化膜，氮氧化膜，氮化膜，低K值的介質(zhì)或它們的組合。
6.如權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于：在步驟八中介質(zhì)膜淀積完成后，得到的介質(zhì)膜中間沒有空洞，或者有空洞。
7.一種寬深溝槽介質(zhì)填充的制作方法，其特征在于：包括如下步驟，
步驟一、在硅片上依次生長一層氧化膜和氮化硅膜；
步驟二、在氮化硅膜上涂光刻膠，利用光刻形成光刻膠圖形；
步驟三、利用光刻膠圖形做掩膜，刻蝕曝出的氮化硅膜形成氮化硅圖形；
步驟四、去除光刻膠；
步驟五、利用氮化硅膜做為掩膜，刻蝕氧化硅和硅片得到所需的多個溝槽或多個硅單元；
步驟六、利用熱氧化將所述多個溝槽或多個硅單元的側(cè)墻全部氧化，形成氧化硅側(cè)墻；
步驟七、去除氮化硅膜；
步驟八、利用CVD淀積需要的介質(zhì)膜，并將溝槽填滿；
步驟九、利用反刻或化學(xué)機械研磨將硅片表面的介質(zhì)膜去除，并去除硅片表面的氧化膜，最終得到填滿介質(zhì)膜的既寬又深的溝槽。
8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于：所述介質(zhì)膜是氧化膜，摻硼/磷的氧化膜，摻磷的氧化膜，氮氧化膜，氮化膜，低K值的介質(zhì)或它們的組合。
9.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于：在步驟八中介質(zhì)膜淀積完成后，得到的介質(zhì)膜中間沒有空洞，或者有空洞。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
