[發明專利]超接面MOS縱向P型區的制作方法

無效

• 申請號: 200910201729.4
• 申請日: 2009-10-28
• 公開（公告）號: CN102054701A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發明（設計）人: 王飛;劉遠良
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 孫大為

1.一種超接面MOS縱向P型區的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、在硅襯底上生長N型外延；

步驟二、在外延區上刻蝕形成深溝槽；

步驟三、生長P型外延硅用以填充部分深溝槽，在溝槽內部形成P型單晶硅，構成超接面MOS的縱向P型區域；

步驟四、在外延表面生長氧化物，從而完全填充深溝槽；

步驟五、去除表面氧化物，露出外延表面；

步驟六、在外延上生長柵二氧化硅，在柵二氧化硅上生長柵極多晶硅，體注入形成體區，源注入形成源區。

2.如權利要求1所述的超接面MOS縱向P型區的制作方法，其特征在于，所述步驟一中采用外延方法生長N型外延硅。

3.如權利要求1所述的超接面MOS縱向P型區的制作方法，其特征在于，所述步驟二中使用干刻工藝刻蝕形成深溝槽。

4.如權利要求1所述的超接面MOS縱向P型區的制作方法，其特征在于，所述步驟三中利用外延方法生長P型外延硅用以填充部分深溝槽。

5.如權利要求1所述的超接面MOS縱向P型區的制作方法，其特征在于，所述步驟五中使用回刻工藝去除表面氧化物。