[發明專利]一種金屬硅化物埋層的結構及其形成方法

無效

• 申請號: 200910201268.0
• 申請日: 2009-12-17
• 公開（公告）號: CN101752408A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 吳東平;張世理
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L23/522;H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種金屬硅化物埋層結構，其特征在于，該埋層結構包括至少一個半導體襯底和一層置于該半導體襯底內部的金屬硅化物埋層。

2.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述的半導體襯底為單晶硅、多晶硅或者絕緣體上硅。

3.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述的金屬硅化物是硅化鈦、硅化鈷、硅化鎳或硅化鉑，或者是它們之中幾種的混合物。

4.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述的金屬硅化物埋層在水平方向上是間斷不連續的埋層，或者是連續不間斷的埋層。

5.一種金屬硅化物埋層的形成方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：

提供一個半導體集成電路襯底；

在所述襯底上淀積一層絕緣介質；

對絕緣介質和襯底進行刻蝕形成一個或多個開口結構；

形成一層刻蝕阻擋層；

對刻蝕阻擋層進行刻蝕以露出用于形成金屬硅化物的硅區；

淀積一層金屬層并退火，使之與所述硅區中的硅形成金屬硅化物；

去除殘留的金屬。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述的絕緣介質為SiO₂、Si₃N₄或者它們之間相混合的絕緣材料。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述的刻蝕阻擋層由SiO₂、Si₃N₄或者它們之間相混合的絕緣材料構成。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述的金屬層為鈦、鈷、鎳或鉑，或者是它們之中幾種的混合物。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，金屬硅化物在形成時向各個方向擴展，在水平方向上連接成一個連續不間斷的金屬硅化物層；或者在水平方向上形成一個間斷不連續的金屬硅化物層。

10.一種集成電路芯片，其特征在于，該芯片上至少有一個半導體器件中含有如權利要求1所述的金屬硅化物埋層結構。