[發(fā)明專利]一種金屬硅化物埋層的結(jié)構(gòu)及其形成方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200910201268.0
• 申請(qǐng)日: 2009-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101752408A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳東平;張世理
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/417
• 分類號(hào): H01L29/417;H01L23/522;H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種金屬硅化物埋層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該埋層結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)半導(dǎo)體襯底和一層置于該半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的金屬硅化物埋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的半導(dǎo)體襯底為單晶硅、多晶硅或者絕緣體上硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的金屬硅化物是硅化鈦、硅化鈷、硅化鎳或硅化鉑，或者是它們之中幾種的混合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的金屬硅化物埋層在水平方向上是間斷不連續(xù)的埋層，或者是連續(xù)不間斷的埋層。

5.一種金屬硅化物埋層的形成方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：

提供一個(gè)半導(dǎo)體集成電路襯底；

在所述襯底上淀積一層絕緣介質(zhì)；

對(duì)絕緣介質(zhì)和襯底進(jìn)行刻蝕形成一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口結(jié)構(gòu)；

形成一層刻蝕阻擋層；

對(duì)刻蝕阻擋層進(jìn)行刻蝕以露出用于形成金屬硅化物的硅區(qū)；

淀積一層金屬層并退火，使之與所述硅區(qū)中的硅形成金屬硅化物；

去除殘留的金屬。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述的絕緣介質(zhì)為SiO₂、Si₃N₄或者它們之間相混合的絕緣材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述的刻蝕阻擋層由SiO₂、Si₃N₄或者它們之間相混合的絕緣材料構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述的金屬層為鈦、鈷、鎳或鉑，或者是它們之中幾種的混合物。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，金屬硅化物在形成時(shí)向各個(gè)方向擴(kuò)展，在水平方向上連接成一個(gè)連續(xù)不間斷的金屬硅化物層；或者在水平方向上形成一個(gè)間斷不連續(xù)的金屬硅化物層。

10.一種集成電路芯片，其特征在于，該芯片上至少有一個(gè)半導(dǎo)體器件中含有如權(quán)利要求1所述的金屬硅化物埋層結(jié)構(gòu)。