[發(fā)明專利]一種掃描光刻機掩模臺位置測量裝置及測量方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200910200089.5 | 申請日: | 2009-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN102087475A | 公開(公告)日: | 2011-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許琦欣 | 申請(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 掃描 光刻 機掩模臺 位置 測量 裝置 測量方法 | ||
1.一種掃描光刻機掩模臺位置測量裝置,包括:
水平縱向測量模塊(101),水平橫向測量模塊(102),掩模臺(103),物鏡(104)和主基板(113);
其特征在于:
所述水平縱向測量模塊(101)和所述水平橫向測量模塊(102)均包括若干干涉儀測量軸;
所述掩模臺(103)面對水平縱向測量模塊(101)的一側(cè)安裝有第一角錐棱鏡(109)和第二角錐棱鏡(115),面對水平橫向測量模塊(102)的一側(cè)安裝有第一長條平面反射鏡(118),所述掩模臺(103)底部沿水平縱向安裝有第二長條平面反射鏡(110)和第三長條平面反射鏡(114);所述物鏡(104)頂部和所述第二長條平面反射鏡(110)、第三長條平面反射鏡(114)正下方,安裝有若干45度反射鏡和平面反射鏡。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掃描光刻機掩模臺位置測量裝置,其特征在于,所述水平縱向測量模塊(101)至少包括六個干涉儀測量軸,分別為Y1,Y2,YR,Z1,Z2,Z3;所述水平橫向測量模塊(102)至少包括兩個干涉儀測量軸,分別為X1,XR;所述45度反射鏡至少為三個,分別為第一45度反射鏡(105),第二45度反射鏡(106),第三45度反射鏡(107);所述平面反射鏡至少為兩個,分別為第一平面反射鏡(111),第二平面反射鏡(112)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掃描光刻機掩模臺位置測量裝置,其特征在于,所述YR干涉儀測量軸位于水平縱向軸線上,所述XR干涉儀測量軸位于水平橫向軸線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掃描光刻機掩模臺位置測量裝置,其特征在于,所述第一角錐棱鏡109、第二角錐棱鏡115分別對應(yīng)于所述干涉儀測量軸Y1、Y2,使所述干涉儀測量軸Y1、Y2的出射光分別能被所述第一角錐棱鏡109、第二角錐棱鏡115反射后沿原路返回;所述第二平面反射鏡112對應(yīng)于所述干涉儀測量軸YR,使所述干涉儀測量軸YR的出射光能被所述第二平面反射鏡112反射后沿原路返回。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掃描光刻機掩模臺位置測量裝置,其特征在于,所述第一長條平面反射鏡118對應(yīng)于干涉儀測量軸X1,使干涉儀測量軸X1的出射光能被所述第一長條平面反射鏡118反射后沿原路返回;所述第一平面反射鏡111對應(yīng)于干涉儀測量軸XR,使干涉儀測量軸XR的出射光能被所述第一平面反射鏡111反射后沿原路返回。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掃描光刻機掩模臺位置測量裝置,其特征在于,所述第一45度反射鏡105、第二45度反射鏡106分別對應(yīng)于干涉儀測量軸Z1、Z2,使所述干涉儀測量軸Z1、Z2的出射光能被所述第一45度反射鏡105、第二45度反射鏡106反射后到達(dá)第二長條平面反射鏡110,光束被反射后沿原路,再分別經(jīng)第一45度反射鏡105、第二45度反射鏡106返回;所述第三45度反射鏡107對應(yīng)于干涉儀測量軸Z3,使所述干涉儀測量軸Z3的出射光能被所述第三45度反射鏡107反射后到達(dá)第三長條平面反射鏡114,光束被反射后沿原路,再經(jīng)第三45度反射鏡107返回。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掃描光刻機掩模臺位置測量裝置,其特征在于,所述水平縱向測量模塊(101)還包括一個干涉儀測量軸Z4,所述水平橫向測量模塊(102)還包括一個干涉儀測量軸X2,所述掃描光刻機掩模臺位置測量裝置還包括第四45度反射鏡(108),所述第四45度反射鏡108對應(yīng)于干涉儀測量軸Z4,使所述干涉儀測量軸Z4的出射光能被所述第四45度反射鏡108反射后到達(dá)第三長條平面反射鏡114,光束被反射后沿原路,再經(jīng)第四45度反射鏡108返回;所述第一長條平面反射鏡118對應(yīng)于干涉儀測量軸X2,使干涉儀測量軸X2的出射光能被所述第一長條平面反射鏡118反射后沿原路返回。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掃描光刻機掩模臺位置測量裝置,其特征在于,Y1干涉儀測量軸與所述Y2干涉儀測量軸有一距離dy且關(guān)于水平縱向(y向)軸線對稱,Z1干涉儀測量軸到水平縱向(y向)軸線有一距離dz,Z2干涉儀測量軸到Z1干涉儀測量軸有一距離cz,且干涉儀測量軸Z1、Z2與干涉儀測量軸Z3、Z4關(guān)于水平縱向(y向)軸線對稱。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掃描光刻機掩模臺位置測量裝置,其特征在于,干涉儀測量軸X1與干涉儀測量軸X2關(guān)于水平橫向(x向)軸線對稱。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海微電子裝備有限公司,未經(jīng)上海微電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910200089.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:掩模版掃描裝置
- 下一篇:自動聚焦系統(tǒng)及方法
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作,例如,鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
G03F7-20 .曝光及其設(shè)備





