[發明專利]插入在電感器周圍的圖形填充物結構

有效

• 申請號: 200910200022.1
• 申請日: 2009-12-01
• 公開（公告）號: CN102082143A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 何丹
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00;H01L23/528
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種插入在電感器周圍的圖形填充物結構，所述圖形填充物結構為多個與電感器金屬線圈等高的正方形金屬塊，插入在電感器金屬線圈的內側區域和外側區域，所述電感器金屬線圈位于頂層金屬層；

所述正方形金屬塊的邊長等于第一最小設計規則，所述第一最小設計規則為工藝允許的最小尺寸；

所述圖形填充物結構的密度不小于第二最小設計規則，所述第二最小設計規則為圖形填充物結構密度的最小值；

所述正方形金屬塊之間的間隔，在第三最小設計規則至間隔最大值的區間內任意取值，所述間隔最大值為：當圖形填充物結構的密度等于第二最小設計規則時，正方形金屬塊之間所具有的間隔；所述第三最小設計規則為工藝允許的金屬間的最小間隔。

2.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述圖形填充物結構密度為(密度檢查窗口內電感器金屬線圈的面積+密度檢查窗口內圖形填充物結構的面積)/密度檢查窗口的面積×100％，所述“()”表示括號，所述“+”表示加號，所述“/”表示除號，所述“×”表示乘號。

3.如權利要求2所述的結構，其特征在于，所述密度檢查窗口的面積為預定值。

4.如權利要求1、2或3所述的結構，其特征在于，所述正方形金屬塊的邊長等于第一最小設計規則，圖形填充物結構的密度等于第二最小設計規則。

5.如權利要求1所述的結構，其特征在于，次頂層金屬層與電感器相對應的區域上，進一步包括插入的圖形填充物結構，

所述次頂層金屬層中插入圖形填充物結構的面積等于頂層金屬層中電感器金屬線圈的面積減去次頂層金屬層電感器橋部分的面積加上電感器金屬線圈周圍圖形填充物結構的面積；

所述次頂層金屬層中圖形填充物結構的金屬塊邊長等于該層的第一最小設計規則；

所述次頂層金屬層中圖形填充物結構的密度不小于該層第二最小設計規則；

所述次頂層金屬層中正方形金屬塊之間的間隔，在該層第三最小設計規則至該層間隔最大值的區間內任意取值，所述該層間隔最大值為：當圖形填充物結構的密度等于該層第二最小設計規則時，正方形金屬塊之間所具有的間隔。

6.如權利要求1所述的結構，其特征在于，其他的每層金屬層與電感器相對應的區域上，進一步包括插入的圖形填充物結構，

所述其他的每層金屬層插入圖形填充物結構的面積等于頂層金屬層中電感器金屬線圈的面積加上電感器金屬線圈周圍圖形填充物結構的面積；

所述其他的每層金屬層中圖形填充物結構的金屬塊邊長等于該層的第一最小設計規則；

所述其他的每層金屬層中圖形填充物結構的密度不小于該層第二最小設計規則；

所述其他的每層金屬層中正方形金屬塊之間的間隔，在該層第三最小設計規則至該層間隔最大值的區間內任意取值，所述該層間隔最大值為：當圖形填充物結構的密度等于該層第二最小設計規則時，正方形金屬塊之間所具有的間隔。