[發明專利]動態隨機存取存儲器及其電容器的制造方法

有效

• 申請號: 200910200000.5
• 申請日: 2009-12-04
• 公開（公告）號: CN102087959A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發明（設計）人: 廖國彰;宋衛軍;廖端泉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/8242
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法，其特征在于：包括：

提供襯底，在所述襯底上先后形成墊氧化層、氮化硅層、層間絕緣層和掩膜層；

圖形化掩膜層，在掩膜層中形成開口；

以所述掩膜層為掩膜，蝕刻所述層間絕緣層、氮化硅層和墊氧化層直至露出所述襯底時停止蝕刻，形成貫穿層間絕緣層的第一溝槽、貫穿氮化硅層和墊氧化層的第二溝槽；

在所述襯底的露出區域上形成保護層；

移除所述掩膜層；

以層間絕緣層為掩膜，蝕刻所述保護層和襯底露出區域而在襯底上形成第三溝槽。

2.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法，其特征在于：所述保護層還覆蓋在第一溝槽和第二溝槽的側面。

3.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法，其特征在于：所述保護層為氧化層。

4.如權利要求3所述的動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法，其特征在于：所述氧化層的厚度大于25埃而小于35埃。

5.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法，其特征在于：還包括在第三溝槽的表面形成下極板；在所述下極板上形成介電層；在所述介電層上形成上極板。

6.如權利要求5所述的動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法，其特征在于：所述下極板、介電層和上極板通過如下步驟形成：

在所述第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽和層間絕緣層的表面均形成摻雜砷的第一多晶硅層；

移除部分第一多晶硅層，進行退火處理使得砷擴散，在第三溝槽表面形成下極板；

在所述下極板上形成介電層；

回刻介電層后在介電層上形成第二多晶硅層而成為上極板。

7.如權利要求6所述的動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法，其特征在于：所述下極板還覆蓋在第二溝槽和第一溝槽的側面。

8.如權利要求5所述的動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法，其特征在于：所述介電層由氮化硅形成。

9.如權利要求1所述的動態隨機存取存儲器的電容器的制造方法，其特征在于：所述第一溝槽的寬度小于0.15微米，所述第一溝槽的深度至少為2微米。

10.一種動態隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于：包括如權利要求1至9中任何一項所述的制造電容器的步驟。