[發明專利]一種帶有絕緣埋層的晶圓的表面處理方法

有效

• 申請號: 200910199623.5
• 申請日: 2009-11-27
• 公開（公告）號: CN101707187A
• 公開（公告）日: 2010-05-12
• 發明（設計）人: 陳杰;葉斐;李顯元;陳國興
• 申請（專利權）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/306
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種帶有絕緣埋層的晶圓的表面處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一晶圓，所述晶圓包括支撐襯底、頂層半導體層以及設置于兩者之間 的絕緣埋層，所述頂層半導體層的材料為單晶硅；

對頂層半導體層實施化學機械拋光，所述拋光工藝的拋光壓力是20至 35kPa；

清洗拋光后的表面，所述清洗采用將雙氧水和氨水與純凈水相互混合的方 法制備而成，混合前雙氧水和氨水任意一種的體積都低于純凈水體積的 1/150。

2.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的晶圓的表面處理方法，其特征在于， 所述清洗的步驟在兆聲環境中進行。

3.根據權利要求1或2所述的帶有絕緣埋層的晶圓的表面處理方法，其特征 在于，所述清洗的時間為8至10分鐘。

4.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的晶圓的表面處理方法，其特征在于， 所述拋光步驟中大盤轉速50至70轉/分，拋頭轉速40至60轉/分。

5.根據權利要求1或4所述的帶有絕緣埋層的晶圓的表面處理方法，其特征 在于，大盤溫度范圍是28至35℃。

6.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的晶圓的表面處理方法，其特征在于， 所述頂層半導體層的厚度小于200nm。