[發明專利]納米晶鋅鍍層的直流電沉積制備方法無效
| 申請號： | 200910199567.5 | 申請日： | 2009-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN101709493A | 公開（公告）日： | 2010-05-19 |
| 發明（設計）人： | 李謀成;伍玉琴;鄔明鈺;李偉華;阮偉慧 | 申請（專利權）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | C25D3/22 | 分類號： | C25D3/22 |
| 代理公司： | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顧勇華 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 鍍層 直流電 沉積 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種納米晶鋅鍍層的直流電沉積制備方法，其特征在于該方法具有以下的工藝過程和步驟：
a.首先配制酸性鍍液，硫酸鋅的濃度為50～500g/L，采用濃硫酸調節其pH值為1～5；
b.加入混合表面活性劑，即加入十六烷基三甲基溴化銨、芐叉丙酮和聚乙二醇，它們的濃度均為0.5～3g/L，鍍液的溫度為20～65℃；
c.采用直流電鍍的方法進行電沉積；在盛有酸性硫酸鋅溶液的電鍍槽中，以被鍍碳鋼為陰極，以不溶性電極為陽極，施加直流電流進行沉積，電流密度為0.5～4A/cm2，電鍍時間為1～6分鐘。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海大學，未經上海大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200910199567.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
